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利用第一性原理模拟计算铜铟硒(CIS)太阳能电池CIS吸收层,及CIS中普遍存在的有序缺陷化合物(ordered defect compound,ODC)CuIn5Se8的性质.依据CuIn5Se8形成的方式,结合对称性越高、能量越低的原则,建立CuInS2中的ODC-CuIn5S8结构,并从态密度角度讨论CuInS2与CuIn5S8的差异.分别选用ZnSe和CuI半导体作为CIS和CuInS2电池的缓冲层,利用第一性原理计算得到价带偏移(valence band offset,VBO).在ZnSe/CIS界面处,CIS的价带顶(valence band maximum,VBM)比ZnSe高0.52 eV;在CuI/CuInS2界面处,CuI的价带顶比CuInS2低0.37 eV,表明CuI非常适合应用于CuInS2电池缓冲层.ODC中由于Cu的缺失,其d轨道电子和阴离子p轨道电子的p-d排斥力减小,使ODC材料的价带顶相对于自身本征材料有所下降. 相似文献
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