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Introduction As a competitive substitute of lead-containedsolder,ACAs appear a promising future due totheir numerous advantages,such as low-tempera-ture compatible assembly,higher packaging densi-ty,environmental friendliness,low-stress on thesubstrates.T… 相似文献
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采用苯乙烯(St)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,聚乙烯基吡咯烷酮(PVP-K30)为分散剂,无水乙醇和去离子水混合溶液为分散介质,三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TMPTMA)为交联剂,以饥饿态加料方式加入第2种单体,用单分散聚合法制备了粒径分布窄、平均粒径为3~4μm的聚苯乙烯-甲基丙烯酸... 相似文献
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电子电气产品中痕量阻燃剂聚溴联苯/聚溴联苯醚(PBBs/PBDEs)的检测通常采用气相色谱/质谱(GC-MS)联用法,但该法是建立在持久性污染物多氯化苯/多氯化萘(PCBs/PCNs)基础上,因此此类物质干扰不可避免。为了解决此类问题,提出了2种解决方法:1)阴离子化学电离-气相色谱/质谱联用法(GC/MS-NICI)和电子轰击-气相色谱/质谱联用法(GC/MS-EI)联合使用;2)以YMC ODS-C18为载体,基质固相分散法(MSPD)吸附分离。结果显示,前者可以同时洞察聚溴联苯和联苯醚的分子链断裂后阴离子碎片[Br]-,[HBr2]-和分子链段碎片[M+2]+,[M+4]+,[M+6]+,[M+8]+的滞留峰,增加了对溴系阻燃剂的选择性。后者可以有效分离多种多氯化苯与聚溴联苯醚的色谱峰,这为溴系阻燃剂气相色谱/质谱联用分析法中多氯化苯及其衍生物干扰提供了新的解决方法。采用此方法对8类电子电气产品中10种聚溴联苯醚和多氯化苯进行加标回收实验及精密度分析,回收率在60%~98%,相对误差在9.5%以内,符合国际电工委员会(IEC)对溴系阻燃剂检测精度要求,说明方法具有较高的可靠性,也为我国电子电气业更好遵守... 相似文献
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设计并实现了基于J2EE技术的纳米材料科学数据共享平台,介绍了平台的总体架构、各功能模块的关系和后台数据库设计与实现,并阐述了平台开发过程中的关键技术.运行效果表明,平台操作简单、功能齐全,能够用于纳米材料数据的管理,帮助研究纳米材料的科研人员更好地分析和利用科学数据. 相似文献
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可视化方法通过将多维空间数据映射到二维平面上,依据“物以聚类”属性对二维平面中各样本点进行分类、识别,找出离群样本并将其剔除掉.与此同时,产生目标函数等值线.沿着等值线值增大或减小的趋势方向寻优,就很容易地确定出最优点或最优化操作区域.以某卷烟厂生产烟丝为例进行分析和计算,结果表明,文中筛选样本数据方法中,离群点的剔除提高优化结果的准确度。最佳操作条件的确定可为工业生产或科学实验提供决策支持。 相似文献
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为了更好地遵守RoHS指令,对便携式EDXRF在RoHS符合性实践筛选中存在的问题进行了分析,并讨论了材料均匀性、厚度、密度、形状、照射面积、时间等因素的影响,结果表明,XRF要求试样最小面积为1 mm~2,能穿透的最大厚度为20.7 μm,金属或合金材料最佳照射时间是3 min,无机非金属或有机材料为5~8 min.对于泡沫或粉状试样,其紧密度对检测准确性也有一定影响,紧密度越大,检测强度值越高.针对分析中材质效应、内元素干扰、光谱交迭等问题,采用参数拟合法加以克服,提高了分析的精确度和灵敏度;采用指数回归方法检测出电子产品涂层或镀层厚度,其精确度与SEM测厚相当,这为遵守RoHs指令提供了技术支持. 相似文献
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溶胶-凝胶法和水热法制备花状ZnO纳米棒簇,通过X射线衍射仪(XRD)、环境扫描电镜(ESEM)结合能谱仪(EDAX)、透射电子显微镜(TEM)、荧光光谱(PL)法对产物分析,并比较两种方法差异.得出如下结论:(1)两种均得到六方纤锌矿结构的ZnO纳米晶簇,晶型完整,粒径约300nm~500nm、长约0.5~3μm;XRD分析显示,ZnO晶体在[0002]晶面有强烈峰,表明其具有C轴最大生长速率和[0002]晶面最优生长习性.(2)不同之处:溶胶法晶粒末端呈锥形,而水热法呈正六边形;前者可用竹笋生长机理模型解释,而后者是从外到内逐层包覆生长机理模型.两种方法荧光光谱略有差异,水热法光谱红移更为显著.在370nm光激发后,两种方法获得材料均出现3个特征峰:凝胶法在424nm出现相对强而窄的紫带,而水热法在460nm出现蓝带峰.它们分别在587、590nm处呈相对弱而宽的黄绿带发射峰,在468、508nm附近也观察到弱的青蓝光发射.其中587、590nm是纳米ZnO的一个特征激发峰,与ZnO晶格中O空位Zn填隙离子有关,这是ZnO光致发光效应的一个重要依据. 相似文献