铌酸钾晶体的倍频特性研究

本文首次对我国生长的铌酸钾晶体的光学倍频特性进行了系统的理论计算和实验研究。     

在半导体硅上电沉积及激光诱导电沉积镍薄膜

利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ｎｉ阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸３００～６００ｎｍ晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。     

用受抑全反射的位移传感器

本文提出利用光的受抑内全反射实现位移测量的新方法，分析了该传感器的工作原理，并设计和测量电路，计算了测量长度和透过率之间的关系，进行了初步试验。     

三波混频耦合波振幅方程及向倍频的过渡

利用有效极化直接导出三波混频耦合波振幅方程；在此基础上，注意到和频和倍频的差异，非常容易地过渡到倍频公式。     

常用多层反射膜的反射率与入射角的关系

本文计算了中心波长为6328埃(Z_nS-MgF_2)、6943埃和1.06微米(后二者均用ZrO_2-SiO_2)的多层介质反射膜对上述三种波长之反射率与入射角的关系,并用氦氖激光对三种膜片进行了测试,发现反射带较窄的ZrO_2-SiO_2高反射膜比反射带较宽的ZnS-MgF_2膜具有更为复杂的曲线。所得结果具有实用价值。     

多纵模激光器模式的锁定

本文用数学方法较详细地分析了三个不同频率的光波的叠加和多纵模激光器模式的锁定。证明了模式锁定的条件。首次较准确系统地给出了三个不同频率的光波叠加产后的光波电场和叠加后的光强曲线和七个纵模锁定后的光波电场Ｅ（ｔ），电场的包络Ａ（ｔ）和光强的包络Ａ＾２（ｔ）曲线。     

啁啾脉冲等值宽度的位置

本文给出了高斯形和双曲正割形啁啾光脉冲干涉相关曲线上包络等值宽度的位置。     

超短脉冲干涉相关测宽的理论计算

就高斯形、指数形、双曲正割形、罗伦兹形及衍射函数形脉冲的二阶强度相关函数和干涉相关函数进行了计算,并找出了前者半宽度与后者上包络宽度“等值”的位置,从而为采用干涉相关法测量超短脉冲宽度提供理论依据。