椭圆偏振光研究O_2~+注入Si的退火特性

用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2 气氛中进行等时热退火 ,测量了Φ和Δ ,给出了O+2 注入Si的退火特性 .结果表明 :O+2 注入Si的退火特性曲线 ,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形 .对此结果 ,我们进行了初步地分析和讨论     

基于P2P的多机通信机制及负载平衡的设计

P2P技术引导着网络计算模式从集中式向分布式偏移,可以更好地解决网络上的对等计算、协同工作、文件交换等大型应用.本文介绍了一种基于P2P的多机通信机制,系统中各结点为逻辑环结构,结点动态的加入、退出,由邻接点对其请求进行响应,从而大大减少了网络通信量,并在此通信机制的基础上给出了一种自适应动态负载平衡算法.     

椭圆偏振光研究O^＋2注入Si的退火特性

用椭圆偏振仪测量了O^ 2注入Si后的椭偏参数Φ和△。给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系，同时，对离子注入片在N2气氛中进行等时热退火，测量了Φ和△，给出了O^ 2注入Si的退火特性，结果表明：O^ 2注入Si的退火特性曲线，对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形，对此结果，我们进行了初步地分析和讨论。     

N+2注入Si的折射率谱和弛豫时间

用TPP－1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为50keV，不同注入剂量的N2 ^ 注入Si的折射率谱。计算了单晶硅电极化的弛豫时间，并对上述结果进行了初步地讨论。     

C＋注入Si的晶格畸变

本文用ｘ射线双晶衍射法测量了注入能量为１４０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１４～１×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２，退火温度为５００℃～７００℃的Ｃ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．在多层模型和试探畸变分布函数的基础上，用ｘ射线衍射的动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格畸变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况