| C＋注入Si的晶格畸变 |
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| 引用本文： | 马德录,韩宇,高雅君,李淑凤,郭继红.C＋注入Si的晶格畸变[J].辽宁大学学报(自然科学版),1997,24(2):19-23. |
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| 作者姓名： | 马德录 韩宇 高雅君 李淑凤 郭继红 |
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| 作者单位： | 辽宁大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文用ｘ射线双晶衍射法测量了注入能量为１４０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１４～１×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２，退火温度为５００℃～７００℃的Ｃ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．在多层模型和试探畸变分布函数的基础上，用ｘ射线衍射的动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格畸变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况
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| 关 键 词： | 离子注入 摇摆曲线 晶格畸变 硅 X射线衍射法 |
The Lattice Strain of C Implanted in Si |
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| Ma Delu,Han Yu,Gao Yajun,Li Shufeng,Guo Jihong.The Lattice Strain of C Implanted in Si[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),1997,24(2):19-23. |
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| Authors: | Ma Delu Han Yu Gao Yajun Li Shufeng Guo Jihong |
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| Institution: | Ma Delu Han Yu Gao Yajun Li Shufeng Guo Jihong Department of Physics Liaoning University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ion implantation Double crystal diffraction Rocking curve Lattice strain |
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