论我国职务发明成果归属

一、职务发明概述 根据我国《专利法》，职务发明创造包括了职务发明、职务实用新型和职务外观设计三类。其中，职务发明是职务发明创造的核心。     

用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量

以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层．为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量．借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征．结果表明：区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高．     

WO3_SiO2复合薄膜气致变色性能的研究

在室温下用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了WO3-SiO2复合薄膜,通过改变氢气体积分数、催化剂浓度及热处理温度等实验因素,对薄膜的气致变色性能进行了测试,实验结果表明,将铂以K2PtCl4形式掺入WO3-SiO2混合溶胶中进行提拉成膜,经适当的热处理后可以获得性能稳定且具有良好气致变色性能的优质薄膜。     

WO3-SiO2复合薄膜气致变色性能的研究

在室温下用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了WO     

原子荧光光谱法同时测定重晶石中的砷和汞

采用王水浸取样品,用氢化物发生-原子荧光法同时测定重晶石中的砷和汞,并对样品的浸取方法,干扰元素及各种实验条件进行研究.建立的HG-AFS同时测定重晶中砷和汞含量的分析方法,满足进出口检验快速准确的要求.砷和汞的回收率在92.53%～120.00%之间,方法相对标准偏差(RSD)为砷0.77(n=11),汞1.02(n=11),检出限为砷0.45ng/ml,汞0.01ng/ml.     

不锈钢闪蒸罐焊接工艺

本文探讨不锈钢闪蒸罐的焊接过程,分析了不锈钢材料进行焊接时的焊接性,介绍了焊接过程中采用焊接方法,制定了详细的焊接工艺,介绍了焊接时的操作要点,可用以指导实际操作。     

从测试规格说明到测试用例的自动生成方法

讨论了使用域测试策略生成测试用例的过程 :将测试规格说明 ,即经过预处理的形式规格说明所得到的以析取范式形式表示的线性谓词 ,变换成不等式组 ,然后对每一个不等式组利用 1× 1域测试策略生成域测试矩阵 ,最终得到测试用例包 .提出了一种应用 1× 1域测试策略和线性不等式值转换器来构成一个从测试规格说明生成测试用例的方法 .最后通过一个实例说明如何使用 1× 1域测试策略来实现从测试规格说明到测试用例的自动生成 .     

铜及铜合金的焊接

本文简要介绍了常用铜及铜合金的分类、焊接性,总结了焊接铜及铜合金常用的焊接方法。     

温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响

多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30~40μm,沉积速率达3~7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900~1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.