CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

Si和Mo基片上气相生长金刚石薄膜的界面状态研究

在低压气相生长金刚石薄膜中,金刚石薄膜与基片间的界面状态是一个十分重要的问题,它不仅与金刚石在异质基片上的成核、生长机理有密切关系,而且在很大程度上决定着金刚石薄膜与基片的粘附性能.近几年来,人们首先较多地研究了单晶Si基片生长金刚石薄膜中的界面状态,认为在金刚石薄膜与Si基片之间存在着一个界面层或过渡层,其主要成分是β-SiC.但也有人认为不存在界面层,金刚石是在Si表面直接生长的.其它基片上生长金刚石薄膜的界面状态也曾见报道.     

一种新的非晶态材料—氢化非晶碳膜

近几年来,具有类金刚石特性的氢化非晶碳膜(a—C:H)受到了越来越多的重视。本文详细综述了它的制备、结构、特性及应用。     

类金刚石薄膜裂纹的分形研究

本文用分形理论研究了类金刚石薄膜的裂纹结构,计算出它的分维D_r=1.25±0.02,发现裂纹呈Koch曲线(D_r=1.26),并且与Termonia和Meakin的模型较好地吻合(D-r=1.27±0.02)。     

氢化非晶硅作为静电复印感光膜的应用

本文概述了氢化非晶硅作为静电复印感光膜的应用。讨论了非晶硅膜的电荷保持能力、感光特性以及膜的制备。     

非晶硅薄膜的低频辉光放电淀积

本文报导了利用低频(50赫)辉光放电法淀积非晶硅薄膜。测量了膜的电阻率、光学常数和红外吸收谱。实验表明该膜有良好的肖特基势垒特性和对硅器件的表面钝化作用。     

非晶硅钝化工艺及机理

氢化非晶硅是一种新的半导体器件表面钝化材料。本文比较详细地阐述了这种钝化膜的淀积,以及钝化工艺和钝化机理。     

非晶硅薄膜在敏感器件上的应用

本文叙述了氢化非晶硅薄膜在光敏和色敏传感器上的应用。讨论了非晶硅薄膜的制备和特性,以及非晶硅光敏和色敏传感器的结构和特性,也简述了非晶硅光敏和色敏传感器的某些可能的应用。     

氢化非晶碳膜的制备及其在金属表面防护上的应用

氢化非晶碳膜具有硬度高、电绝缘、光学透明、化学性能稳定等优良特性,又称为“类金刚石”碳膜。本文报导由碳氢气体的辉光放电分解而制备的氢化非晶碳膜的特性及其在金属表面防护上的应用。     

氢化非晶硅膜在半导体器件表面钝化上的应用

本文叙述一种新的钝化膜——氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜在硅半导体器件表面钝化上的应用。发现这种薄膜复盖于器件表面可以使PN结的反向漏电流明显减小,器件的小电流h_(FE)有较大幅度的提高。试验了三种不同的钝化方案,并对其钝化效果作了比较。根据实验结果,初步探讨了这种氢化非晶硅薄膜的钝化机理,指出其良好的钝化作用在于这种薄膜具有半绝缘、电中性和富含氢的特点。给出了钝化器件的长期可靠性试验结果。