过压自保护晶闸管二维电场分析

应用有限元法,对两种不同门极结构的过压自保护光控晶闸管的电场分布进行计算机模拟,讨论了电场分布与结构参数的关系及其对过压自保护特性的影响.计算表明,无P~-层晶闸管的穴区最大电场同时受到穴径和穴深的制约,而有p~+层的晶闸管穴径对电场的影响可以忽略,穴区最大电场主要由穴深确定.理论和实验均表明,控制门极的穴径和穴深可以达到控制门极自保护特性的目的.     

多元胞结构的半导体放电管浪涌能力研究

鉴于半导体放电管工作时的最高温升决定其浪涌能力,通过对器件进行温度场模拟,可以明显地看出基片厚度、载流子浓度以及元胞数对器件温升的影响。因此对不同厚度、杂质浓度的16元胞放电管进行了浪涌实验。模拟和实验结果均表明,增加元胞数、选择均匀性好和较薄的衬底材料以及采用低扩散浓度方法可以减少放电管工作时的温升,改善放电管浪涌能力。     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在LPCVD理论模型基础上,通过引进“电子温度”,对 PECVD多晶硅膜进行了计算机模拟分析.结果表明,射频功率和反应室气压是影响PECVD淀积速率分布的两个主要因素,且两者受p=kW线性关系的制约,即对于一定的射频功率,总可选择一合适的反应室气压,使淀积速率分布最佳.实验结果与理论分析相吻合.     

多元胞半导体浪涌防护器转折特性与IH的折衷

由晶闸管短路发射极模型提出了半导体浪涌防护器的一种多元胞结构,分析了该模型的转折特性与维持电流IH。在归一化条件下,定量表述了其折衷关系,从而确定了某一工艺参数条件下的最佳D／d值,为提高SSPD的浪涌能力、改善响应特性、实现器件的规模化生产具有重要意义。     

LTT中光导管无损耗传输条件的研究

本文针对LTT(光直接触发晶闸管)光传输系统中光导管传输效率问题,用纤维光学理论分析了光缆的数值孔径、光导管的折射率一定时光导管的端面直径和曲率半径对光传输效率的影响,得出了光线在光导管中无损耗传输所必须满足的不等式,为光导管的设计提供了理论依据.     

常压化学气相淀积多晶硅的计算机模拟

推导出常压化学气相淀积多晶硅膜的计算机模拟算式，并进行了计算机模拟计算。在理论计算的基础上，用硅烷热分解，制备了均匀性较好的用于可控硅元件欧姆接触的多晶硅膜。     

光控晶闸管n发射层深度的研究

本文以挖槽型小电流光控晶闸管(LTT)为对象,计及载流子浓度对迁移率的影响,由计算分析得到了光触发灵敏度(P_(L)~(*))与n~(+)发射层深度(X_(in))的关系,从而确定了最佳n~(+)发射层深度的范围.     

复合晶体管的电泳法玻璃钝化研究

一、玻璃钝化复合晶体管的方法 为了提高汽车电子点火装置的可靠性,复合晶体管一般采用单片式结构。我们采用Al-SiO_2膜保护,利用氢氟酸-发烟硝酸-冰乙酸组成的混合酸腐蚀挖槽,使电阻条及管芯四周台面同时形成,图1,图2分别为玻璃钝化复合晶体管管芯的平面图和剖面图。这种管子集电结结深为50～60μm,刻蚀出的台面沟槽深为70～80μm,在这个台面沟槽表面用电泳法被覆玻璃粉,然后经过熔凝制成玻璃钝化膜。     

半导体放电管多元胞结构模型研究

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图．对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证，结果表明合理设计多元胞版图尺寸和ｐ 基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性，从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据．     

薄发射区晶闸管结构及特性的研究

在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μm时,随着Q_E的减小,V_T单调下降并趋于一几乎不变的值;当Q_E大于某一值时,V_T与W_P无关,而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加.实验结果还表明,用LPCVD原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品,与普通晶闸管相比,有较好的速度特性.