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计算了Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs与GaAs晶格匹配时的等能隙曲线以及液相外延生长AlGaInPAs/GaAs所用母液中Al的分凝系数。实验证明,由于Al的分凝,使过冷度对AlGaInPAs外延层的固相组分有显著影响,但对外延层的其他性质没有影响。 相似文献
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Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅱ) 总被引：3，自引：0，他引：3
文中主要讨论GaN背景载流子浓度和掺杂问题,以及GaN-based异质结构与器件应用,在结论中给出了进一步深入研究的几个主要问题。 相似文献
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Ⅲ—Ⅴ氮化物与蓝光LEDs(Ⅰ) 总被引：3，自引：0，他引：3
回顾了Ⅲ—Ⅴ氮化物材料和GaN-based蓝光LED的研究状况及近期的重大进展,分成两部分先后在本刊发表,首先简要地概述了GaN及其有关化合物的晶体生长技术,较为详细地讨论了衬底选择和外延层的晶体结构。 相似文献
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