在铝的阳极氧化过程中氧化铝纳米线的生长

在两步法制备多孔阳极氧化铝模板过程中, 观察到氧化铝纳米线的生长. 这种纳米线生长过程不同于通常的化学腐蚀生成过程, 电场和应力的共同作用是导致氧化铝纳米线形成的主要原因, 同时抛光后铝箔表面的纳米压痕也是导致纳米线形成的重要因素.     

有机桂中间体（H2SiNaF）稳定性的理论分析

在３００－１５００Ｋ范围内，用从头算分子轨道法计算了Ｈ２ＳｉＮａＦ异构化的热力学函数（热焓Ｈ，自由能Ｇ，熵Ｓ），平衡常数Ｋ（Ｔ），转化率Ｃ（Ｔ），Ａ因子和速度常数ｋ（Ｔ）动力学的研究是基于含Ｗｉｇｎｅｒ校正的过渡态理论和高斯－８６程序计算结果之上，得到构型１和２是稳定的，３和４将快速、完全地转化为１和２，并指出，在作稳定性分析时，除作量化计算外，必须考虑温度效应。     

纳米技术领域科技术语的标准化

术语和命名方法是标准化的重要工作内容。针对纳米技术的快速发展和纳米产业的不断扩大,各国和各大标准化组织都开展了纳米科技术语的标准化2Y-作。文章主要介绍这方面的动态和进展,以期为从事纳米科技领域的专家学者和开发人员提供参考。     

聚乙烯吡咯烷酮稳定的微米级金盘的制备和结构分析

报道了在200℃和自气压溶剂热条件下, 以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为稳定剂, 乙二醇(EG)为溶剂和还原剂, 通过还原氯金酸获得大量六边形或三角形微米级孪晶金盘. 利用扫描电子显微镜(SEM)观察到清晰的金盘孪晶界面. 透射电子显微镜(TEM)和相应的选区电子衍射(SAED)表征也提供了进一步的实验证据. 此外, X射线光电子能谱(XPS)实验证实, PVP分子吸附在这种金盘的表面. 这表明PVP分子对六边形或三角形金颗粒的形成和进一步演化起到了重要的作用. 基于上述实验和表征结果, 提出了一种金盘从纳米级到微米级的演化机理, 用于阐述不同形状金盘的可能生长过程.     

半导体量子点光谱特性标准样品及高分辨透射电子显微镜粒径定值研究

半导体量子点纳米晶体是一类典型的纳米材料,具有独特的光学特性,已在生物医学、光电转换等领域得到应用.量子点纳米晶体的标准样品对其质量控制和产业应用都有重要的意义,但需要对其光学特性和尺寸特性进行准确测量研究.我们研制了以硒化镉量子点为代表的半导体量子点纳米晶体标准样品,并对其光学特性进行定值.针对目前制约量子点粒子尺寸准确测量的透射电子显微镜样品基底问题进行改进,用碳管-氧化石墨烯微栅代替常用的超薄碳膜微栅.通过高分辨透射电子显微镜表征得到晶格清晰的小尺寸半导体量子点纳米晶体的形貌像.这些结果有助于建立硒化镉量子点半导体纳米晶体的特征带边吸收峰值与粒子粒径的准确定量对应关系,从而推动量子点的应用.     

纳米技术领域科技术语的标准化

术语和命名方法是标准化的重要工作内容。针对纳米技术的快速发展和纳米产业的不断扩大,各国和各大标准化组织都开展了纳米科技术语的标准化工作。文章主要介绍这方面的动态和进展,以期为从事纳米科技领域的专家学者和开发人员提供参考。