含氢a-Si:H/SiO2多层膜的蓝光发射及其发光机理研究

在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中, 采用a-Si:H层淀积与原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法成功制备了一个系列的不同a-Si:H子层厚度的含氢a-Si:H/SiO₂多层膜, 在室温下用肉眼观察到了较强的光致蓝光发射, 与此同时还观察到其发光峰峰位和吸收边随a-Si:H子层厚度的减小而逐渐蓝移. 对a-Si:H/SiO₂多层膜的蓝光发射机制及氢的作用进行了分析和讨论.     

东昆仑哈日扎矿床V矿带银多金属矿物赋存状态研究

为了研究东昆仑哈日扎矿床V矿带银多金属矿物赋存状态,本文利用X射线衍射、电镜扫描、化学分析等方法,对矿石中含银、铜、铅、锌等主要矿物的赋存状态进行研究。研究表明：围岩蚀变主要以硅化、绿泥石化、绿帘石化为主,围岩放射性指标不超标;原生矿石中矿物以原生硫化物为主,氧化矿含量较低且分布不均匀,有用金属矿物有方铅矿、闪锌矿、黄铜矿;原生矿石中银矿物主要包括辉银矿和硫铜银矿,主要以包裹体形式嵌布于其他矿物及脉石裂隙中;镓、金、锗元素可综合回收利用,而砷、硫含量偏高,会影响矿石的回收率指标。研究结果可为矿山资源综合开发利用提供基础资料。     

Co/Si多层膜的模型结构研究

对小角Ｘ射线衍射法测出的Ｃｏ／Ｓｉ多层膜的平均折射率修正值为负的原因作了进一步的分析，提出了修正的具有化合物层的多层膜结构模型，运用光学多层膜理论计算小角衍射强度时代入了负的折射率修正值δ，得到的理论计算曲线与实验曲线趋于一致．     

衬底温度对电子束沉积LaF3薄膜表面形貌的影响

采用电子束沉积的方法,分别在K9玻璃基片上制备了LaF3单层膜.研究了衬底温度对LaF3薄膜表面形貌的影响；衬底温度从200℃上升到350℃,间隔为50℃.利用原子力显微镜测量了基板镀膜后的粗糙度变化；分析结果表明:在本实验条件下,随衬底温度的升高,均方根粗糙度先增大后减小,达到一定温度后,粗糙度迅速增大.     

基板温度对电子束沉积LaF3薄膜残余应力的影响

采用电子束沉积的方法,分别在K9玻璃基片上制备了LaF3单层膜.研究了基板温度对LaF3薄膜残余应力的影响;基板温度从200 ℃上升到350℃,间隔为50℃.利用ZYGO干涉仪测量了基板镀膜前后的面型变化,利用Stoney公式计算出残余应力;分析结果表明:在本实验条件下,残余应力为张应力,随基板温度的增加,有增大的趋势.     

路由重分发中次优路径的解决方案

在大型网络中由于采用多种路由协议,必须开启路由器的重分发功能。但是路由重分发可能产生次优路径问题,为解决次优路径问题,通过对利用图形化网络环境模拟器GNS3建立的双向重分发模拟实验网络环境进行研究,分析管理距离值对多协议路由环境下路由选择的影响,设计了两种纠正次优路径的系统解决方案,方案一直接使用distance命令来修改某个协议的管理距离值;方案二利用访问控制列表针对某条路由精确地更改管理距离值,结果表明两种方案都能有效避免路由重分发中次优路径的产生。     

快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜光致发光的影响

采用在等离子体增强化学气相沉积(PFCVD)系统中沉积a-Si：H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si：H／SO2多层膜．用快速热退火对a-Si：H／SiO2多层膜进行处理，制备nc—Si/SiO2多层膜，研究了这种方法对a-Si：H／SiO2多层膜发光特性的影响．研究发现对a-Si：H／SiO2多层膜作快速热退火处理，可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰．研究了不同退火条件下发光峰的变化．通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析，探讨了a-Si：H／SiO2多层膜在不同退火温度下的光致发光机理．     

a-Si:H/SiO2多层膜中的脉冲激光诱导限制结晶

利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-SiH/SiO2多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-SiH/SiO2多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-SiH子层形成,且尺寸可以精确控制.     

过渡层在格兰—泰勒棱镜减反射膜中的应用

为提高泰勒棱镜的透射率,减小波长的控制误差,研究了过渡层在格兰一泰勒棱镜减反射膜中的作用.研究证明:采用合适的薄膜材料做过渡层,不仅提高了棱镜的透射率,而且拓宽了减反射膜的带宽,提高了产品的合格率.