| 含氢a-Si:H/SiO2多层膜的蓝光发射及其发光机理研究 |
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| 引用本文： | 朱达,马忠元,梅嘉欣,韩培高,黄信凡,陈坤基.含氢a-Si:H/SiO2多层膜的蓝光发射及其发光机理研究[J].科学通报,2004,49(20):2045-2048. |
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| 作者姓名： | 朱达 马忠元 梅嘉欣 韩培高 黄信凡 陈坤基 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 本工作为国家自然科学基金(批准号:9010102,10174035,10023001)及国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)资助项目. |
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| 摘 要： | 在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中, 采用a-Si:H层淀积与原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法成功制备了一个系列的不同a-Si:H子层厚度的含氢a-Si:H/SiO2多层膜, 在室温下用肉眼观察到了较强的光致蓝光发射, 与此同时还观察到其发光峰峰位和吸收边随a-Si:H子层厚度的减小而逐渐蓝移. 对a-Si:H/SiO2多层膜的蓝光发射机制及氢的作用进行了分析和讨论.
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| 关 键 词： | a-Si:H/SiO2多层膜 等离子体氧化 蓝光发射 蓝移 量子限制 |
| 收稿时间： | 2003-12-20 |
| 修稿时间： | 2004-08-09 |
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