描述有源矩阵液晶显示系统液晶显示器件电光特性的简化模型

本文提出了一个描述扭曲向列型（TN）液晶显示器件电光特性的简化模型。根据模型，可以很容易地计算出各类参数液晶显示器件的电光特性。理论计算与实验数据符合的很好。因此该模型可用于有源矩阵（Active Matix)液晶显示系统的模拟程序。     

纯金属电阻率的简化模型

提出了纯金属电阻率的两个简化模型：一个统计模型，一个电子一声子耦合模型。由统计模型可得出：纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比。由电子－声子耦合模型得出：电子的散射几率不仅正比于声子数，而且正比于电子－声子的耦合强度。由这两个模型皆能得出纯金属电阻率在高温时与温度Ｔ成正比，低温时与Ｔ５成正比的结果。由电阻率—温度曲线的比较表明，两模型相当吻合。     

一种可能的ABB型激子超导体

很多学者认为,如果实现激子机制超导电性,那么超导体临界温度T_c将会大幅度提高。但到目前为止还没有一个激子型超导体问世。因此,激子型超导性能否存在的问题比其是否能达到高T_c更为迫切。1973年巴丁等人提出ABB模型,指出在声子机制和激     

莫特模型之争

1979年8月27日至31日在美国坎布里奇的哈佛大学召开了第八届非晶态和液态半导体国际会议,在这次会议上围绕着“莫特模型”展开了针锋相对的争论. 莫特爵士是当代著名的固体物理学家,在1956～1975年间曾任英国剑桥大学卡文迪许教授和卡文迪许实验室主任,这被认为是英国物理学界的最高荣誉地位.莫特爵士在固体物理学中的成就是十分广泛的,最近十多年来他致力于固体物理一个新领域——非晶态物质电子过程的研究,并被誉为是这个新的学科分支的一位奠基人.正是由于在非晶态电子理论方面的成     

多晶硅电导特性(Ⅰ)

多晶硅的电学特性远比单晶硅复杂。不同作者,如seto和Kamins,关于迁移率与掺杂浓度关系的实验结果是互不一致的。本文认为他们的理论和实验只在一定范围内成立。作者预计迁移率与掺杂浓度关系曲线在中等掺杂浓度范围内应有一个极小值;而在高浓度方面则应存在一个极大值,并且计算了它们所对应的掺杂浓度及其与晶粒大小的关系。     

用于液晶显示驱动电路的非晶硅薄膜晶体管

本文报导了用于液晶平面显示板的非晶硅薄膜晶体管的研制结果。晶体管的断态电流<10~(11)A,通态与断态电流比>10~5,开启电压约为5 V。并对影响晶体管参数性能的主要因素做了分析和讨论。     

fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制

利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益β为30到50,基极开路下,收集极-发射极反向击穿电压BVCEO为5?V,晶体管的截止频率fT为13.5?GHz。     

基于遗传算法的半导体器件模型参数提取

随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因工程和人工智能模拟的优化算法,近年来在半导体器件模型参数提取领域被广泛使用,这种方法能有效地克服传统参数提取方法中的一些困难。详细阐述了采用遗传算法提取半导体器件模型参数的原理,同时也指出了采用这种方法提取模型参数时的缺点和目前的一些解决方法。     

一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型

从铁电晶体管的动态翻转和双阈值转移特性出发, 建立了一种基于施密特触发器的FEFET(铁电场效应晶体管)行为级宏模型。该宏模型可以表征FEFET的转移特性, 并且模型参数较少便于调节; 模型结构简单、规模较小, 可用于HSPICE 电路模拟。模拟结果与FEFET实验结果比较, 显示该模型能够很好地反映铁电材料的疲劳等因素引起的FEFET的存储性能退化, 为FEDRAM(铁电动态随机存储器)设计和优化提供了一个良好的模型基础。