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MOCVD生长AlGaAs-GaAs DBR及其特性 总被引：1，自引：0，他引：1
本文报导了任意铝组分的AlGaAs材料的MOCVD外延生长和控制,解决了MOCVD生长高铝组分AIGaAs这一难题。国内首次运用MOCVD技术生长出高反射率的适合于垂直腔面发射激光器的AlGaAs-GaAs四分之一波长的分布布拉格反射镜(DBR)结构。用高分辨透射电镜观察得出,该DBR有良好的周期性、厚度均匀和界面平直。测得其反射率为94％,响应波长为820nm-868nm。 相似文献
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在生长温度及组分附近对Ga-In-P相图进行了细致的计算。在GaAs(100)衬底上获得了Ga_xIn_(1-x)P单晶层。组分由电子探针确定X～0.45—0.55 相似文献
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