长江流域梯级水库夏末秋初蓄水对河口盐水入侵和淡水资源的影响

流域大型梯级水库群,夏末秋初蓄水,来年枯季放水,季节性改变了入海径流量,会影响河口盐水入侵和淡水资源利用.收集了长江流域大型梯级水库有效库容和南水北调工程跨流域调水的量值,利用改进的河口海岸三维数值模式ECOM-si,模拟和分析了长江流域重大工程对河口盐水入侵和淡水资源的影响.截至2020年和2035年,长江流域中上游已建和将建大型水库有效库容分别为706.11和943.88亿m3,蓄水期9、10月间平均径流量分别减少13 398和17 909 m3/s.基于大通实测水文站1950—2020年实测月平均径流量,考虑截至2020年和2035年流域重大工程对径流量的调节,给出了平均水文年和特枯水文年8—10月的月平均径流量.数值模拟结果表明,截至2020年和2035年流域梯级水库9—10月蓄水,径流量下降,导致盐水入侵加剧.在平均水文年,南支水源地4个水库9—10月所有时间均能取到淡水.在特枯水文年, 9—10月东风西沙、太仓、陈行和青草沙水库取水口连续不宜取水天数截至2020年分别为28.75、24.99、29.63和37.47 d,到2035年分别为46.53、44.18、47.56和...     

前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池

文章综述了N型背结背接触和背结前接触晶体硅太阳能电池的研究和产业化的最新进展.从原理上阐述了N型背结背接触电池高效率的原因.从研究的角度,综述和点评了国际上几个研究小组在N型背结前接触晶体硅电池方面的研究工作.论述了丝网印刷Al烧结法制备N型背结背接触电池方面的研究进展.     

InGaAs／InP DHBT的基极-集电极设计

研究了在InGaAs／InP DHBT中，组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响。提出了有效过渡层的概念。在组分非连续渐变的结构中，有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中。对不同的Kirk效应条件，给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式。最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层，优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度。     

应用于直接数字频率合成器的6-GHz GaAs HBT只读存储器

只读存储器广泛应用于直接数字频率合成器的相位幅度转换电路. 通过对只读存储器建立等效模型, 分析如何减少存取时间, 提高直接数字频率合成器的工作频率.并对仿真波形出现信号偏差现象进行分析, 以指导电路设计. 设计的64×3 bit 只读存储器集成到8 bit 直接数字频率合成器中. 测试结果表明只读存储器最高工作在6 GHz, 可有效提高直接数字频率合成器的无杂散动态范围.     

非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布

利用连续介质模型，计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量。引入上下界面失配位错数目的比例因子η，利用能量最低原理，求得η的表达式，研究表明，失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关。随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加，失配位错在上界面的数目增多，应变弛豫机制以单结点为主过渡到以双结点为主。     

非应变盖层的应变外延层结构中失配位错的分布

利用连续介质模型,计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量．引入上下界面失配位错数目的比例因子η,利用能量最低原理,求得η的表达式．研究表明,失配位错在上下界面的分布与应变的弛豫程度和盖层的厚度有关．随应变弛豫程度和非应变盖层厚度的增加,失配位错在上界面的数目增多,应变弛豫机制以单结点为主过渡到以双结点为主