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1.
对上部冷壁、底部热壁直管内的自然对流现象进行了数值研究.采用有限体积离散化方法和压力一速度的迭代算法,求解耦合的动量、能量微分方程组,揭示自然对流和强迫对流相互转换的机制.计算结果已用于化学气相淀积薄膜生长的均匀性分析.  相似文献   
2.
偏格子中的格子Boltzmann方程   总被引:1,自引:1,他引:0  
给出偏格子的格子Boltzmann模型. 应用Chapman-Enskog展开和多重尺度技术, 通过 选择平衡态分布函数的高阶矩和偏张量的形式, 得到偏网格上的Euler方程.  相似文献   
3.
把在求解不可压N-S方程上获得很大成功的Fourier拟谱方法推广到求解速度和温度交连的N-S方程组,并用于晶体生长的化学气相淀积复杂输运过程的数值模拟.结果令人满意.说明了该方法在求解复杂流动问题中有广泛的应用前景。  相似文献   
4.
本文讨论了减压情况下硅外延生长过程的动力学问题,用混合动力学模型分析了压力和温度等参数对生长速率和薄膜淀积厚度均匀性的影响,以及质量输运与表面反应控制相互转变特征,理论分析与实验结果吻合得较好。  相似文献   
5.
底部倾斜冷热壁直管内自然对流数值研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
对上部冷壁、底部热壁直管内的自然对流现象进行了数值研究,采用有限体积离散化方法和压力-速度的迭代算法,求解耦合的动量、能量微分方程组、揭示自然对流和强迫对流相互转换的机制,计算结果已用于化学气相沉淀积薄膜生长的均匀性分析。  相似文献   
6.
本文建立了用于计算立式钟罩CVD反应器内对流扩散现象的流体动力学和热输运方程,并用Galerkin有限元法做了计算(计算过程中考虑了热浮力对流动的影响)。计算结果表明,在热基座上方存在着涡旋运动,彻底消除这种运动比较困难,但适当地增加入流速度可使涡旋区远离基座表面,从而可消弱涡旋运动对薄膜生长均匀性的影响。  相似文献   
7.
本文用有限分析方法,对带有倾斜基座的CVD反应器内流场进行了数值计算.结果表明,有限分析方法对于小倾角的非矩形边界的解域也是适用的.  相似文献   
8.
本文将Andrew对水平基座的矩形反应器的速度分布和质量输运的分析推广到有小角度的倾斜基座反应器上,计算了不同倾角时各截面的速度分布,分析了外延层厚度均匀性、基座宽度利用率与反应器几何参数之间的关系。最后通过引入质量输运系数校正因子,计算了倾斜基座上纵向生长速率,分析和计算结果与生产中的测试结果基本吻合。  相似文献   
9.
把在求解不可压N-S方程上获得很大成功的Fourier拟谱方法推广到求解速度和温度交连的N-S方程组,并用于晶体生长的化学气相淀积复杂输运过程的数值模拟,结果令人满意,说明了该方法在求解复杂流动问题中有广泛的应用前景。  相似文献   
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