CrC的能带结构研究

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了ＣｒＣ的能带结构，对引起Ｓｉｎｇｈ与ｚｈｕｋｏｖ等人计算结果差异的原因进行了探讨．结果表明，特殊ｋ点数的选取对计算结果有较大影响，而在原子球间隙区添加空原子球有助于改善计算结果     

Hopfield神经网络的存储容量

神经网络能够正确记忆的样本矢量数与其神经元数目的比称为网络的存储容量,它是神经网络的一个重要参数。对Hopfield神经网络的存储容量的研究,统计物理方法分析的结果约为0.138。研究表明,当网络的存储容量为     

正态分布近似式的研究

正态分布近似式的研究＠郑金成＠蔡淑惠＠王仁智＠郑永梅＠程灿东￥厦门大学物理学系正态分布近似式的研究郑金成蔡淑惠王仁智郑永梅程灿东（厦门大学物理学系厦门３６１００５）正态分布是一种重要的概率分布,许多随机变量都精确或近似地服从这一分布规律,而且它是多种概率的...     

大洋水库蓝藻绿色生态治理技术研究与应用

本文分析研究了大洋水库实施洁水渔业养殖、平衡库体生物链、调节蓄放泄管水等一系列技术措施取得的成效,提出蓝藻绿色生态治理技术的应用,有利于更好地走"绿水青山就是金山银山"的绿色生态发展之路。     

合金异质结的价带带阶的计算方法

半导体异质结界面两侧价带带阶ΔE_v值(即va|ence-band offsets)是决定量子阱、超晶格电子态重要的物理量,无论是理论计算还是实验研究都具有重要的意义。对于由元素     

应用信噪比理论分析三维转动角神经网络模型的存储容量

人工神经网络是最近发展起来的十分热门的交叉学科,它涉及到生物、电子、计算机、数学和物理等学科,有着非常广泛的应用前景.本文讨论的是一类多值神经网络模型一一Q态三维转动角神经网络模型的存储容量 该模型是Hopfield神经网络模型、四态复数神经网络模型、复相角神经网络模型和多态四元数神经网络模型的推广,具有一定的理论研究价值;可以在灰度或彩色图像识别中得到应用.     

同步辐射技术和透射电镜技术以及密度泛函理论相结合的综合表征方法及其应用

同步辐射技术和透射电镜技术是研究材料的重要表征手段,广泛应用于物理、化学、材料、环境与能源等学科的前沿研究领域.这两种技术方法,其物理原理是光子和电子与材料的相互作用,包括光子在材料中的散射与吸收,电子的衍射与能量损失等,从而演化出各种具体表征手段.从物理本质看,基于量子力学的密度泛函理论,其本征函数可以与同步辐射X射线的衍射和透射电镜电子的衍射得到的电荷密度相对应,而其本征值则可以与同步辐射X射线的吸收谱和光电子谱以及透射电镜电子的能量损失谱得到的能级或能带信息相对应.这些对应关系使得这两种技术手段和理论计算方法可以互相验证也可以互相补充,从而对材料的结构和电子信息的分析更为全面细致.本文综述了同步辐射技术和透射电镜技术的进展,通过典型材料表征进行举例说明,这两种技术结合密度泛函理论,能够深入分析功能材料的晶体结构信息以及各种物理化学性能.最后展望了这三种方法相结合的未来发展趋势.     

多元合金异质InxGa1—xAs／InxAl1—xAs的价带偏移

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算法，研究了三元合金ＩｎｘＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ值。     

三元合金异质结InxGa1-xAs/InxAl1-xAs的价带带阶ΔEv值研究

三元合金异质结是异质结器件的重要材料,它广泛应用于微波和光电器件中。如组分x=0.3的合金异质结可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMTs)、绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)和谐振隧道二极管(RTDs);组分x=0.53的三元合金异质结广泛应用于光电子的高速光电器件中。在决定量子阱、超晶格电子态的因素中,半导体异质结界面两侧价带带阶△E_v值(即valence-band offsets)是重要的物     

C／BN_xC_（2（1－x））、BN／BN_xC_（2（1－x））和C／BN异

采用原子集团展开和平均键能相结合的方法．研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）、ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和生长在ＢＮｘＣ２（１－ｘ）合金衬底上的Ｃ／ＢＮ应变层异质结的价带偏移△Ｅｖ．结果表明：Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）的△Ｅｖ随ｘ的变化是非线性的，而应变层Ｃ／ＢＮ的△Ｅｖ随ｘ的变化是接近于线性；三种异质结的△Ｅｖ值随ｘ的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Ｅｍｖ随ｘ的变化规律．