半导体材料研究的进展(二)

三、其他半导体材料寻找新半导体材料及其应用的另一个领域是:Ⅲ—Ⅴ族,Ⅱ—Ⅵ族化合物间的固溶体;化合物的异质结;各种三元以上的化合物;无定形半导体等.     

苏联第二個宇宙飞船

1960年8月19日苏联成功地把第二个宇宙飞船发射到地球卫星的轨道上。除去火箭载体的最后一级外,整个卫星式飞船重4,600公斤。发射第二个卫星式宇宙飞船的基本任务是进一步研究保证人的生命活动,以及人的飞行安全和返回地球的系统。预先安排了在飞行期间应进行的一系列医学生物学实验,完成了宇宙空间的科学考察计划。为使带有生物的第二个卫星式宇宙飞船成功     

半导体材料研究的进展(一)

一百多年前,人们把一类电阻率介于金属和绝缘体之间的物质称作半导体.那时分类的依据并不严格,对这类物质的应用前景也很模糊.在三十年代,量子力学被应用到固体现象后,对半导体才有较严格的了解.四十年代末,用锗制作的晶体管试验成功,电子学学科开始发生了深刻的变革,半导体科学技术得到了广泛应用.近二十多年来,半导体科学技术有了巨大的发展,同时逐步形成了半导体材料研究这样一个综合的半导体研究领域.它包括物理、化     

碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响

用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响．实验表明，价带偏移（ΔＥｖ）与夹层厚度有关．０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ可使Ｇｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ．碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔＥｖ改变的主要原因．     

干涉增强喇曼散射技术及其应用

详细介绍了干涉增强喇曼散射技术及其样品构形设计的计算方法,同时给出了利用该技术对a-Si:H释氢及金属诱导晶化的研究结果。     

Pd／c—Si界面反应研究

运用X 射线衍射(XRD)、Anger 电子能谱(AES)等方法研究了不同晶面取向的Si 衬底对Pd 硅化物薄膜形成的影响:在Si(111)衬底上,形成外延生长的Pd_2Si;在Si(100)衬底上,Pd_2Si 为择优取向的多晶.实验结果表明,在这两种Si 衬底上,Pd 硅化物有不同的形成温度和相转变温度.文中讨论了退火温度对Pd_2Si 的结构、组分和电阻率的影响,并应用热力学规律及界面作用过程解释了实验结果.     

Rb／InP（100）界面的电子能谱研究

用光电子能谱技术（ＸＰＳ和ＵＰＳ）研究了Ｒｂ／ＩｎＰ（１００）的界面形成和电子结构．实验结果表明，当Ｒｂ淀积到ＩｎＰ（１００）表面时，它首先表现为物理吸附，形成突变界面．随Ｒｂ复盖量的增加，Ｒｂ向ＩｎＰ体内扩散，Ｒｂ－Ｉｎ之间发生置换反应．此时Ｒｂ－Ｐ形成化学健．退火后，Ｒｂ一部分脱附，一部分向体内扩散．同时，Ｉｎ和Ｐ也向外扩散．在较高的温度下，更多的Ｉｎ向外偏析．     

Ar~ 离子注入对Ge/GaAs(100)异质结能带偏离影响的XPS研究

用X光电子能谱(XPS)方法研究了界面特性和Ge/GaAs(100)异质结的能带偏离关系。实验表明,当在清洁的GaAs(100)表面生长Ge异质结时,其价带偏离(△E_v)与界面特性无关,而在Ar离子注入的GaAs(100)表面上生长的Ge异质结,其价带偏离与Ar~ 离子的浓度分布有关。