单片集成正装结构的GaAlAs/GaAs激光器的热阻特性

本文利用二维热流模型,计算了适于单片集成正装结构GaAlAs/GaAs激光器的热阻,讨论了各种参数对热阻的影响。此外,还采用正向压降法测量了不同腔长激光器的热阻,并与理论曲线进行了比较。     

多层结构有机物薄膜制备及光致发光特性

利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝（Alq）和叔丁基联苯基苯基二唑（PBD）交替生长的多层结构薄膜．低角X射线衍射测量表明，样品具有良好的层状结构；光吸收及光致发光测量结果表明，随着PBD层厚度的减薄，激发态能量发生了从PBD向Alq层中转移的现象．     

用光泵浦法评价AlGaAs/GaAs/AlGaAs双异质结外延片

本文提出了采用光泵浦法评价掩埋异质结构(BH)激光器的一次外延片质量的技术。该评价技术简便易行,对样片无破坏性,且可由其测量结果预言激光器发射波长和阈值等特性。     

低阈值大功率半导体激光器的研制

近几年来,针对光盘的信息处理、激光印刷和长距离通信等实际应用的需要,稳定的单模大功率半导体激光器的研究取得了很大进展.对于GaAlAs/GaAs激光器,限制输出功率增加的主要原因之一是腔面的光学灾变损伤,利用扩大近场束斑尺寸来减少腔面的光子流密度或使腔面变成对光不吸收的透明区都是提高功率输出的重要途径,而降低阈值电流减     

对撞锁模半导体超短光脉冲的产生

锁模(mode-locking)技术是1964年发展起来的。利用这种技术,尤其是对撞锁模CPM(colliding-pulse mode-locking)可以产生皮秒(10~(-12)s)甚至飞秒(10~(-15)s)量级的超短脉冲,这对于物理化学以及分子弛豫过程的超高速现象的研究具有决定性的意义。随着半导体技术在光纤通讯、电光采样、时钟信号等光电子学领域的飞速发展,迫切需要一种宽度窄、频率高的半导体激光脉冲光源。为此投入了大量的研究。常用的半导体超短光脉冲技术包括Q开关、增益开关、锁模技术等。无论在理论上还是实践上,脉宽最窄和重复频率最高的脉冲,都是由锁模技术得到的。1990年,Chen等人首次报道了利用微波调制的对撞锁模技术,在单片集成InGaAsP量子阱激光器上得到脉宽1.4ps,重复频率32.5GHz的超短脉冲。本文报道了利用对称三段式结构的InGaAsP量子阱激光器,在无调制情况下获得脉宽5.0ps,重复频率38.5GHz的超短光脉冲。