磁场中的强耦合表面极化子

应用变分法系统研究了电子和表面光学声子间的强相互作用，同时考虑了电子和体纵光学声子间的弱相互作用，给出了电子、声子间的基态和激发态的相互作用能．数值计算表明，电子和晶体表面的距离增大，体相互作用诱导势增大，而表面相互作用势减少；同时外磁场的作用可增大这两种相互作用的强度．     

极性晶体膜中的强耦合磁极化子

应用变分法研究了极性晶体膜中强耦合磁极化子的性质,给出基态和激发态的系统能量,重点研究了系统处于基态和激发态时的电子－表面声子相互作用能．计算结果表明,在磁场强度一定的条件下（Ｂ＝９Ｔ）,电子－表面声子相互作用能随着膜厚的增加而减小;在一定膜厚的条件下（Ｗ＝３ｎｍ）,电子－表面声子相互作用能随着磁场强度的增加先增大而后缓慢减小,当Ｂ＝３０Ｔ时,｜Ｖｅ－ＳＯ（１）｜和｜Ｖｅ－ＳＯ（０）｜之间的差最大．     

柱形量子线中的磁极化子性质

采用变分法,研究了柱形量子线中磁极化子在基态和激发态的系统能量,电子－表面声子相互作用能以及回旋共振频率．选用抛物型束缚势,在精确求解未微扰电子的波动方程的基础上,给出了系统的试探波函数．数值计算结果表明,随着量子线半径的增大,基态和激发态的电子－表面声子相互作用能都相应减小,回旋共振频率也随之减小．该结果对以前的研究结果有所改进     

半抛物量子阱中的二阶光学非线性

用紧致密度矩阵和弛豫时间近似方法,研究在非对称半抛物量子阱中的二阶光学非线性．该非线性是由子能带间的共振跃迁引起的,在波长为１０．６μｍ时,光学整流系数可达０．１０４ｍｍ／Ｖ（比ＧａＡｓ晶体中高１０５倍）,二次谐波产生系数可达３．１μｍ／Ｖ（比ＧａＡｓ晶体中高１０４倍）．在相同条件下,比阶梯阱模型的结果大一个数量级,比“极化球”模型的结果大两个数量级．     

外磁场中的强耦合极化子性质

运用变分法系统地研究了外磁场下极化子的电声子耦合作用,其中具体考虑了电子和表面光学声子（ＳＯ）的强耦合作用以及与体纵光学声子（ＬＯ）的弱耦合作用,应用Ｈｕｙｂｅｒｔｃｈ提出的变分方法和二次么正变换,给出了电子－声相互作用能,数值结果表明：随着电子和晶体表面距离的增加,电子－表面光学声子相互作用能的数值减小,而电子－体纵光学声子相互作用能的数值增大;磁场增强,电子与两种声子之间的相互作用均增强。