用稳态光电导和场效应的联合测量研究Ge的快表面态

文中介绍了用稳态光电导和场效应的联合测量以研究Ge的快表面态的实验方法。用这方法可以得到表面复合速度和表面态陷阱电荷密度与表面势的依赖关系,从而可以确定出快表面态的特征参量(能极位置,能级密度及对空穴和电子的俘获截面)。本文对经硫化处理的Ge表面电学性质进行了测量,结果指出,存在三组分立的快表面态: Et_1-Ei=4kT Et_2-Ei=1.4kT Et_3-Ei=-3.6kT其密度均在10~(11)/厘米~2以上,并对实验结果作了讨论。