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基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
利用射频磁控溅射方法, 真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体, 在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜. 在超高真空(<10-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性, 发现 沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响. 基底温度为500 ℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜, 阈值电场为12 V/μm, 电场升到34 V/μm, 场发射电流为280 μA/cm2. 所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线, 表明电子是通过 隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的. 相似文献
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在不同温度下(200~ 800 ℃) 将高功率准分子激光溅射方法沉积的类金刚石膜进行退火实验. 利用Raman和XPS光谱分析类金刚石膜在退火过程中的化学键合结构变化. 结果表明, 类金刚石膜是由少量的sp2 C键和大量的sp3 C键组成的非晶态碳膜. 在退火温度小于600 ℃范围内, 类金刚石膜的热稳 定性较好; 退火温度高于600 ℃时, 类金刚石膜中的sp3 C键逐渐向sp 2 C键转变, 当退火温度升到800 ℃时, 类金刚石膜中sp3 C键含量由 退火前的大约70%下降到40%. 可见, 高温退火能导致类金刚石膜的石墨化趋势. 相似文献
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