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气相沉积方法生长TiC纳米棒   总被引:1,自引:0,他引:1  
用碳纳米管限制反应,采用气相沉积方法生成TiC的纳米棒,TiC纳米棒的形貌依赖于碳纳米管的形状和生长条件,其直径大于碳纳米管的直径,并且对TiC纳米棒的生长机制进行了讨论。  相似文献   
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