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采用变分法及介电连续模型研究了量子线中的Ｓｔａｒｋ效应，分别计算了受限ＬＯ声子及表面声子对Ｓｔａｒｋ移动的修正。 相似文献
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CdS0.1Se0.9半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究 总被引：2，自引：0，他引：2
采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内ＣｄＳｘＳｅ１－ｘ的纳米晶体,其平均尺寸随退火时间的增加而增大。从实验测量的室温吸收谱上看到,当纳米晶体的平均直径从５．６１ｎｍ减小到４．６９ｎｍ时,其吸收边高能方向移动了０．０８９ｅＶ。 相似文献
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通过室温下GaAs的PR谱与ER谱的比较,对PR谱的机理及线型分析作了有益的讨论,结果表明,PR谱具有电场调制的本质,可以用电场调制理论中的“三点法”来确定各临界点参量. 相似文献
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王若桢 《河北师范大学学报(自然科学版)》1994,18(3):16-16,15
Ｂｌｏｃｈ振荡研究进展北京师范大学物理系王若桢当讨论晶体中电子在恒定外电场中的运动问题时，我们把能带中的电子近似看作有效质量为ｍ的经典粒子处理，从而得到等式其中，Ｆ为电场力，Ｆ＝－ｑＥ（Ｅ为电场强度）．上式表示电子在ｋ空间作匀速运动，这就意味着电子的... 相似文献
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采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 . 相似文献
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本文用EER谱技术,在室温下对掺Te砷化镓(n=1×10~(18)cm~(-3))样品进行了测量,对杂质的ER谱结构E_1进行了分析,提出了电调制浅杂质态的物理模型,用F-K效应定性解释了杂质的ER谱.通过与未掺杂GaAs(n=7.7×10~(14)cm~(-3))的ER谱相比较,定出了E_1结构的线型及位置. 相似文献
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