恒应力速率下陶瓷材料的亚临界裂纹扩展模型

从断裂力学出发,利用阻力曲线（Ｒ曲线）,建立了恒应力速率条件下陶瓷材料亚临界裂纹扩展模型．利用计算机数值计算,获得材料在动态载荷条件下,裂纹扩展速率Ｖ与应力强度因子Ｋ的关系（Ｖ－Ｋ曲线）,并分析了动态疲劳现象的本质．此模型的中心思想在于将亚临界裂纹扩展分为相互独立的２个过程,即：裂纹瞬时局域失稳扩展和应力腐蚀．利用此模型,对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的动态疲劳特性作出的理论预测与实验结果趋势一致．     

Si3N4陶瓷的显微结构与阻力行为

测定了２种不同显微结构的Ｓi3Ｎ４材料的阻力行为，并对裂纹扩展过程中的裂尖尾区闭合应力进行了估算，研究发现：Ｓi3Ｎ４陶瓷的显微结构与阻力行为密切相关，长柱状β－Ｓi3Ｎ４的Ｒ曲线较陡，而β／α双相陶瓷的Ｒ曲线较为平缓，同时，显微结构不同，裂纹尖端闭合应力也不同，因而会产生不同的Ｒ曲线。     

Si3N4陶瓷的凝胶注成型工艺

研究了微米级Si3N4粉的凝胶注成型工艺,系统地分析了引了剂、单体及交联剂等对坯体性能的影响。研究结果表明,当引发剂（APS）的质量分数w(APS)达到2％,单体与交联剂质量分数的比值在10％－30％,且溶液中有机单体的质量分数w(T）为20％时,坯体性能最佳,其强度最高可达40MPa。否则,坯体内部的有机网络不均匀,将导致坯体性能的下降。     

常压烧结Si3N4陶瓷的阻力（R—曲线）特性

文章利用压痕微裂纹法测试了３种Ｓｉ３Ｎ４基陶瓷的Ｒ曲线．结果发现：添加Ｙ２Ｏ３和Ａｌ２Ｏ３的Ｓｉ３Ｎ４材料（１号）具有明显上升的Ｒ曲线；添加ＺｒＯ２的材料（２号）次之；添加ＡｌＮ的材料（３号）的Ｒ曲线变化幅度最小．并结合断口形貌分析发现，材料的Ｒ曲线行为与其微观结构密切相关．     

ZrO2对Si3N4陶瓷烧结性能的影响

对添加ＺｒＯ伯Ｓｉ３Ｎ４陶瓷烧结性能的研究表明，一方面ＺｒＯ２可作为一种烧结助剂，促进液相烧结；另一方面它也以四方相形式弥散分布于Ｓｉ３Ｎ４晶粒间，以提高材料的强韧性，试验结果表明：常压烧结下，ＺｒＯ２的质量分数为０．１８时，材料强韧性最好。     

氮化铝对Sialon陶瓷性能的影响

采用Ｘ射线衍射及扫描电镜方法，从微观角度研究了氮化铝对Ｓｉａｌｏｎ陶瓷性能的影响，结果表明：ＡｌＮ对α－Ｓｉａｌｏｎ的生成有促进作用，随ＡｌＮ的增加，α相相对含量也增加，材料断裂韧性却下降；同时，α相点阵常数增加，材料硬度增大，耐磨性也提高。     

烧结工艺对Si3N4陶瓷显微结构及性能的影响

文章研究了烧结温度、时间对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料显微结构与性能的影响，微观结构与断裂韧性、抗弯强度的关系．结果表明：在一定烧结温度下，随保温时间增加，材料体积密度、β相相对含量增加，断裂韧性显著提高，使相变过程滞后，并在试样断口上发现了明显的棒状组织拔出和折断痕迹，保温时间一定时，存在最佳烧结温度     

Si_3N_4陶瓷的显微结构与阻力行为

测定了 2种不同显微结构的Si3N4 材料的阻力行为 ,并对裂纹扩展过程中的裂尖尾区闭合应力进行了估算 .研究发现 :Si3N4 陶瓷的显微结构与阻力行为密切相关 ,长柱状 β Si3N4 的R曲线较陡 ,而 β/α双相陶瓷的R曲线较为平缓 .同时 ,显微结构不同 ,裂纹尖端闭合应力也不同 ,因而会产生不同的R曲线 .     

Si_3N_4陶瓷的凝胶注成型工艺

研究了微米级Si3N4 粉的凝胶注成型工艺 ,系统地分析了引发剂、单体及交联剂等对坯体性能的影响 .研究结果表明 ,当引发剂 (APS)的质量分数w(APS)达到 2 % ,单体与交联剂质量分数的比值在 10 %～ 30 % ,且溶液中有机单体的质量分数w(T)为 2 0 %时 ,坯体性能最佳 ,其强度最高可达 4 0MPa .否则 ,坯体内部的有机网络不均匀 ,将导致坯体性能的下降 .     

凝胶注成型中排胶温度对生坯强度及显微结构的影响

研究了凝胶注成型过程中,排胶对坯体强度及其显微结构的影响。研究发现,随着排胶温度的升高,排胶过程具有阶段性：当温度低于200℃时,坯体强度稍有下降;当温度升至350-500℃时,由于坏体内部高分子网络逐渐软化、分解,强度显著下降;当温度高于500℃时,由于坯体内部局部烧结,强度则逐渐回升。