表面氧化层对阻塞角分布的蒙特卡洛模拟的影响

晶体阻塞效应测量核寿命的方法中,比较蒙特卡洛模拟的角分布与实验测景的阻塞曲线,可以确定复合核的寿命.但是以往模拟的角分布与实验阻塞曲线之间有明显的不符之处,后者偏浅(x_(min)偏大),Dip体积偏小.引起偏差的主要原因是理论模型中假设的是一个理想的单晶,而实验所用的单晶材料表面或多或少存在着无定型氧化层,晶体内部还可能有少量缺陷和损伤.为了研究它们的影响,本文在单晶表面引入一定厚度的“有效”无定型氧化层(将内部缺陷的影响包括在内),用蒙特卡洛方法计算在有表面氧化层时晶体中出射α粒子的阻塞分布.计算条件与铝单晶中E_p=1183keV的(P,α)共振反应一致,即出射α粒子的深度为2000A,能量2.12MeV,v_■τ=0.α粒子的初始发射方向是     

He与C60的碰撞及He@C60形成的计算机模拟研究

采用分子动力学方法,利用Brenner势和库仑作用势描述原子间的相互作用,模拟研究了He原子和C60分子碰撞以及生成He内生C60(即He＠C60)的物理过程.通过改变He原子入射动能及C60不同位置入射的方法,得到He＠C60形成的能量阈值.分析了He原子的入射动能对C60的能量传递.结果与实验符合较好.     

C60在再构的金刚石（100）表面沉积的计算机模拟研究

用分子动力学模拟的方法和Ｔｅｒｓｏｆｆ多体势函数对低能入射的Ｃ６０分子在再构的金刚石表面沉积的过程进行模拟研究。以Ｃ６０初始入射能量为３０ｅＶ和６０ｅＶ垂直于表面入射时，入射的Ｃ６０分子没有多金刚石表面反弹出来，而是与金刚石表面相互吸引而导致Ｃ６０分子沉积在金刚石的表面。