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| 表面氧化层对阻塞角分布的蒙特卡洛模拟的影响 | |
| 引用本文： | 潘正瑛,周鹏.表面氧化层对阻塞角分布的蒙特卡洛模拟的影响[J].复旦学报(自然科学版),1987(4). |
| 作者姓名： | 潘正瑛 周鹏 |
| 作者单位： | 复旦大学原子核科学系 (潘正瑛)，复旦大学原子核科学系(周鹏) |
| 摘 要： | 晶体阻塞效应测量核寿命的方法中,比较蒙特卡洛模拟的角分布与实验测景的阻塞曲线,可以确定复合核的寿命.但是以往模拟的角分布与实验阻塞曲线之间有明显的不符之处,后者偏浅(x_(min)偏大),Dip体积偏小.引起偏差的主要原因是理论模型中假设的是一个理想的单晶,而实验所用的单晶材料表面或多或少存在着无定型氧化层,晶体内部还可能有少量缺陷和损伤.为了研究它们的影响,本文在单晶表面引入一定厚度的“有效”无定型氧化层(将内部缺陷的影响包括在内),用蒙特卡洛方法计算在有表面氧化层时晶体中出射α粒子的阻塞分布.计算条件与铝单晶中E_p=1183keV的(P,α)共振反应一致,即出射α粒子的深度为2000A,能量2.12MeV,v_■τ=0.α粒子的初始发射方向是 |
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