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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了调Q红宝石脉冲激光掺铝P~ N结中的深能极缺陷.当硅衬底中有点缺陷时,激光掺杂将在N区引入一个深电子陷阱,其能级位置在E_c—0.35eV,退火温度约300℃,可能结构是[V_2 0]。如果硅衬底中原来无点缺陷,则未观测到激光诱生深能级缺陷。 相似文献
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作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF－TRR兼容性，得到掺钯硅二极管的VF－TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果；这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合，作者对此进行了分析与讨论，根据实验结果，作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管。 相似文献
3.
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔，对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实。作者报道了该技术应用于平面二极管理中对金杂质吸除的研究，其结果表明，在粗糙研磨表面上形成的氦诱生微孔，同样具有良好的吸除效果。 相似文献
4.
通过对微氮ＣＺ硅单晶中氧沉积性质的研究表明，在氮—氮对（Ｎ—Ｎ）浓度为９×１０１５／ｃｍ３且经去热施主预热处理的样品中，氮对氧的沉积没有增强作用．因此，在实用的微氮ＣＺ硅单晶中的氮杂质不会对三步本征吸杂产生不利影响． 相似文献
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掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF～trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 . 相似文献
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