水热法制备NaGd(WO_4)_2:Eu~(3+)发光材料

采用水热法,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,合成了NaGd(WO4)2:Eu3+发光材料.采集XRD,SEM图谱来表征样品的晶型与形貌,利用激发光谱和发射光谱研究了材料的发光特性.结果表明,所制得的NaGd(WO4)2:Eu3+是由纳米棒组成的绒球状发光材料,球体直径为100nm,纳米棒长2～5μm.样品不仅可以被紫外光(266nm)激发,还能被近紫外光(393nm)和蓝光(464nm)有效激发,其主发射峰值位于614nm,为红色荧光成分,且当Eu3+掺杂物质的量分数为3%时,此发射峰达到最大,该发光粉可用于制造紫外光芯片激发的白光LED.     

退火温度对NaGd(WO_4)_2:Eu~(3+)荧光粉发光特性的影响

采用水热法合成了NaGd(WO4)2:Eu3+荧光粉.采用XRD、热失重与差热分析、荧光光谱图表征样品的结构和发光特性.结果表明,样品未经退火处理时,在266nm激发光激发下,300~600nm处有一WO2-4产生宽带发射带和Eu3+在614nm处产生的红光.发光特性证实NaGd(WO4)2:Eu3+荧光粉可用于制造单基质的白光LED.随着退火温度的升高,样品由WO2-4产生的宽带发射带逐渐减弱直至消失,最后在800℃退火的NaGd(WO4)2:Eu3+荧光粉在614nm处产生红光.从理论上分析了WO2-4的发光机理.     

LaOBr:Eu3+的制备及发光特性

采用固相合成法制备了Eu3+掺杂的LaOBr发光材料,研究了不同物质的量分数的Eu3+对发光性质的影响,其中Eu3+的物质的量分数为0.1%,0.2%,0.5%,1%.X线衍射图表明:所得样品为纯相的LaOBr.测量了不同物质的量分数的激发谱、发射谱及荧光寿命.通过对Eu3+衰减曲线的拟合,得到在相同Eu3+的物质的量分数下,从电荷迁移带跃迁到5 D0能级时间比5 D2能级跃迁到5 D0能级时间短,但从5 D0能级跃迁到基态能级的时间基本相同,说明Eu3+之间存在交叉弛豫现象.利用Judd-Oflet理论,从发射光谱获得了Eu3+的光学跃迁强度参数Ωλ(λ=2,4).