天门冬氨酸对精氨酸激酶的作用研究

应用酶活测定、荧光发射光谱等方法分析了精氨酸激酶在不同浓度天门冬氨酸中活性变化和去折叠动力学。实验结果表明：天门冬氨酸引起精氨酸激酶失活与去折叠,并且过程中没有蛋白质的聚沉;精氨酸激酶的去折叠遵循一级反应动力学的二相过程,包括快相和慢相;失活与天门冬氨酸浓度呈正相关;当去除天门冬氨酸的影响,精氨酸激酶的活力能得到恢复。通过对比实验结果暗示,天门冬氨酸是通过其解离状态的H＋改变了机体pH值而影响精氨酸激酶活性的,并且就天门冬氨酸对精氨酸激酶影响及其意义进行探讨。     

环境友好半导体材料Ca2Si的研究进展

Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。     

环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究

运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.     

环境半导体Ca2Si薄膜制备及椭偏光谱研究

采用磁控溅射系统成功地制备出了环境半导体Ca2Si薄膜,并对制备出的Ca2Si薄膜进行了椭偏光谱测量研究,得到了不同退火温度下Ca2Si薄膜的光学常数谱．结果表明,Ca2Si薄膜的折射率在4．3eV附近取得极小值,其消光系数在3．3eV附近取得极大值．     

单一相Ca_2Si膜选择性生长(英文)

磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜。随后,600℃分别真空退火5、6、8、10和12 h。使用XRD、EDAX和FT-IR对结果膜的结构和表面进行了测试。沉积膜的原子与衬底之间利用固相间相互扩散反应从多相共生的Ca -Si系统选择性的生长出单一相的Ca2Si膜。并且确定了沉积膜的结构、退火温度和退火时间是单一相硅化物选择性生长的关键因素。