氢气氛生长区熔硅的热处理缺陷及其与辐照缺陷的相互作用

用深能级瞬态谱、红外吸收光谱和少子寿命测量研究了热处理后的氢气氛生长的区熔硅的氢致缺陷及其与辐照缺陷的相互作用。DLTS测得的E_c-0.22eV的电子陷阱相应于500℃—650℃范围热处理生成的氢致缺陷,而在低于500℃和高于650℃范围的热处理时,没有观察到上述电子陷阱,这和少子寿命测量在600℃热处理范围出现极小值是一致的。500℃热处理氢气氛硅经中子辐照后A中心生成率特别低及经辐照后氢气氛硅红外吸收光谱2123cm~(-1)谱带的消失,表明四面体间隙位置的氢原子是俘获空位的很效陷阱之一。     

自适应控制汽车疲劳模拟试验研究

目的在于建立一种新的疲劳模拟时域控制方法。疲劳模拟试验系统本质上是一个自动控制跟踪系统。提出利用最小方差自校正控制器来控制试验台跟踪期望响应信号。在微机上对算法编程,实现了实时控制。用理论算例模拟各种复杂工况验证了算法推导和编程的正确性。最后在Ｔ型梁振动台架上进行试验,可以达到很高模拟精度,满足疲劳模拟试验要求,证明这种方法是实用的。     

汽车道路模拟试验台计算机测控系统的开发

计算机测控系统是汽车道路模拟试验台的关键部分。在研制国产化的汽车道路模拟系统过程中 ,开发了专用的计算机测控系统。分析了道路模拟试验对测控系统的特殊要求 ,构成测控系统时只采用了通用的廉价硬件插卡模块 ,而系统要求的大容量不间断采样与输出、数据输入和输出同步等特殊功能 ,采用复杂的编程用软件方法实现。这种方案构成的系统具有很高的性能价格比 ,从而为降低所研制的道路模拟系统的成本打下了很好的基础。实验证明 ,所开发的测控系统配置合理且能达到很高的精度。     

硅表层扩散杂质在CW-CO_2激光辐照后的电激活特性

本文研究了硅中高温扩散硼和磷样品在CW-CO_2激光作用下薄层电阻、载流子面密度、迁移率和表面薄层(450)载流子浓度的变化。经过激光处理后样品表面一薄层载流子浓度超过了杂质的固溶度极限。通过高温热退火和再次激光辐照研究了“超固溶度”的不稳定性。同时对样品的正面和背面激光辐照对载流子的电激活效果作了比较。     

磁流变半主动悬架控制算法验证平台

为实现对磁流变半主动悬架控制算法快速有效的验证,基于快速原型控制器,设计搭建了控制算法验证平台。1/4车辆悬架系统模型考虑了主销倾角及下摆臂空间角度;悬架安装了加速度及车身高度传感器;使用LMS Test Lab试验测试系统采集分析悬架系统振动状态;快速原型控制器作为开发调试控制算法的载体;通过平台验证试验,介绍了基于此平台开发调试算法的过程,验证了此平台控制过程监控、调试控制算法、量化分析控制效果的功能,表明此平台满足设计目标,可以方便、快捷及有效地开发、调试及验证半主动控制算法。     

高阻硅中子嬗变掺杂高温退火后的缺陷

用DLTS方法研究了在氮气氛下径850℃退火的中子嬗变掺杂硅,发现存在三个深中心,它们在禁带中的位置E_C—E_T为0.20,0.23,和0.49eV。他们可能分别是中照损伤与淬火引进缺陷的复合体、激化杂质及中照损伤与激化杂质的复合体。     

用DLTS研究硅中注磷缺陷的退火行为

用DLTS确定N型硅中注磷产生的电学缺陷,测量了从200℃到700℃热退火和不同辐照时间的CW-CO_2激光退火后电子陷阱的能级,浓度剖面分布和俘获截面,根据缺陷的退火行为并和已报道的数据进行了比较,分析了缺陷的可能构造。     

多输入多输出频域模态识别算法的探讨

在应用多输入多输出频域正交多项式方法进行模态参数识别时，发现其存在一些不完善之处：１）识别振型需对重根单根情况分别作出判断和计算；２）在分析频带内系统存在重根重数与输入个数相同时，理论上振型无法识别，实际应用时识别结果有较大误差。对此进行了深入探讨，从理论上论证了出现上述问题的原因：识别过程中对矩阵进行奇异值分解，在存在重数与输入个数相同的重根时，此矩阵数值小，信噪比低，因此识别精度差。针对这些问题，对原算法进行了修正，使振型识别精度得到提高。算例与试验验证证明了所做的讨论和修正是正确的、有效的。