影响集成电路管芯成品率的诸工艺因素

提高管芯成品率是目前集成电路生产中一个广泛关心的重要课题。各个厂家都作了大量的工作,积累了不少宝贵的经验。我们对广大工人和技术人员长期实践中积累的丰富经验进行了一定的调查研究,在总结我们自己实践的基础上,本文想就影响电路管芯成品率的各种工艺因素做一分析讨论,以期引起对这个问题更广泛的研究与重视。     

PECVD Si_3N_4膜构成MNOS结构的退火行为

从实验上研究了 PECVD 法 Si_3N_4膜构成的 MNOS 结构经不同类型的热处理后其界面性能的变化,并对有关效应的作用机制进行了探讨。     

稀有金属界面效应的作用机理

有关过渡金属钯、铑和稀土金属镧、钆都在Si—SiO_2界面上呈现出与金类似的负电效应的实验结果我们已作过报导,下面着重讨论一下上述杂质引起的负电效应的作用特点以及它们降低界面态的机制。就负电效应而言,钯、铑与镧、钆是相同的,但具体细节不尽相同。对于铑(钯类以),界面结合能降低的事实说明,在结构中它们容易呈现受主型局域态,表现出负电性。这需要从电中性和几何适应原则两方面看。首     

区域匀平方法制取锗单晶体的研究

本文叙述了利用区域匀平方法在无籽晶条件下生长锗单晶体的主要过程。对生长过程的最佳条件进行了讨论。     

静电感应晶闸管(SITH)的工艺控制和参数调节

以静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的长期工艺实践为基础，总结和研究了器件结构参数对ＳＩＴＨ主要性能参数的影响，并分析了其原因，提出了改善ＳＩＴＨ器件性能的工艺和设计方法。     

100A／1200V静电感应晶闸管的设计

分析了电力静电感应晶闸管的主要参数与器件结构的关系。结合制管经验进行了１００Ａ／１２００Ｖ器件的结构设计、工艺设计，给出有关结果。     

钆(Gd)在Si/SiO_2界面的电效应

最近我们发现,把 Gd 引入 Si/SiO_2界面能引起与金类似的高频和甚低频 MOSCV 曲线沿正压方向的平移。显示了界面正电荷的明显减少。图1,2分别给出了在     

复合结构静电感应晶体管的终端造型

为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。     

金和铂在Si-Al2O3界面的电学效应

本文系统地研究了金、铂等杂质在Si-Al₂O₃界面的电学特性及其热处理变化,给出了界面的电子能谱分析结果,并对Au (Pt)等杂质界面效应的作用机制进行了探讨.     

金在氮化硅—硅界面的电学效应

我们研究了金在氮化硅—硅界面的电学效应及其热处理行为,并与金在二氧化硅—硅界面的情形做了比较。用能谱分析技术对氮化硅—硅结构进行了AES和XPS分析,得出了界面区域的组分、剖面分布、各组分结合能的变化及价带谱。发现自氮化硅表面直至硅侧,有N、Si、O、C、Au(扩Au片)等多种元素。在SiH_4—NH_3—N_2反应淀积的氮化硅—硅界面处存在着一个“氧包”,如图1所示,对界面性质有重要影响。同