GaAs晶体二维自旋磁极化子平均数的磁温效应

研究了半导体内弱耦合二维自旋磁极化子的磁场和温度特性．在有限温度和外加均匀恒定磁场的情况下，应用么正变换和线性组合算符法给出了GaAs晶体内极化子平均数与磁场和温度的依赖关系的理论表示，也作了数值分析．数值计算的结果表明：在某一确定的温度下，弱耦合二维自旋磁极化子平均数随磁场的加强而减小；磁场较弱或温度较高时，平均数变化较剧烈；磁场较强或温度较低时，平均数变化较平缓；当外加磁场确定时，弱耦合二维自旋磁极化子平均数随温度升高而增大；当温度较低或磁场较强时，平均数变化偏离线性关系；当温度较高或磁场较弱时，其变化接近线性关系．     

点电荷与导体相互作用的问题

本文讨论了电量有限的点电荷与导体球和电量无限小的点电荷与导体间相互作用的问题，同时澄清了以往人们对该问题的一些错误认识。     

镜象电荷的分布

本文指出象电荷与原电荷的分布形式可以不相同;象电荷的分布不唯一。     

电力线相互平行的电场是匀强电场的充要条件

本文证明了：对于电力线相互平行的电场，电场强度的大小不可能在垂直于电场强度的方向上有变化；但电场强度的大小可以沿电场强度的方向上有变化。还证明了：若电力线相互平行的电场区域内有不为零的净电荷分布，则该区域必为非匀强电场区域；若在任一个电力线相互平行的电场区域内净电荷分布处处为零，则该区域必为匀强电场区域。这也就是电力线相互平行的电场一定是匀强电场的充要条件。     

电位零点的选择与物理模型有关

本文对电位零点选择的任意性及其限制作了一般性的论述。指出它与物理模型的适用范围有关：在模型的适用范围之内可任意选择电位零点，但不能到模型的适用范围之外去选择电位零点。     

自旋对表面磁极化子自陷能磁场特性的影响

讨论了电子自旋对表面磁极化子特性的影响.应用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对电子与表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子自陷能Etr磁场特性的影响.以TlB r晶体为例所作的数值计算结果表明:电子自旋使Etr分裂为二,且随磁场B的加强,分裂间距增大;若电子与光学声子耦合强,自旋量子数mS取-1/2时,Etr随B的加强而增大,mS取1/2时Etr随B的加强而减少;若电子与光学声子耦合弱,不论mS取何值,Etr都随B的加强而减少;不论电子与光学声子耦合强还是弱,电子自旋作用对Etr的影响都随B的加强而增大.     

推导粘滞系数的一种方法

本文给出了推导粘滞系数的另一种方法。并分析了－／ｖ和－／λ的意义。     

稳定磁场的唯一性定理及其证明

本文给出并证明了稳定磁场的唯一性定理，纠正了以往文章的不妥之处．     

安培力的经典微观机制

本文通过时各种类型及各种运动形式的载流体在磁场中所受磁力的定量讨论，给出了一般载流体安培力形成的经典微出机制为：安培力是载流体晶格电荷所受的各种力与载流子对载流体侧面作用力之和的宏观表现。     

物理教学中科学思想的培养

本文分析了教学中培养科学思想的必要性；举例提出了培养学生科学思想的一种教学方案，讨论了某些对称规律破缺的原因．