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在单双迭代包括非迭代三重激发微扰处理的耦合簇CCSD(T)理论水平下,采用aug-ccPVQZ并加上键函数(3s3p2d2f1g)组成的大基组,计算得到了体系在冻结HCN键长情况下的全程势能面.计算结果表明该势能面存在2个势阱:较深的势阱对应于线性Ne-HCN构型,阱深为61.56cm-1,其中Rm=8.00a0;较浅的势阱对应于T型构型,其中Rm=6.62a0,θ=102°,阱深为52.48cm-1,整个势能面呈现出弱的各向异性. 相似文献
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