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1.
Cu掺杂的NiO的制备及其超级电容器性能
俞燕青
周益明
戴跃华
张黎
吴悦
唐亚文
陆天虹
沈涛
《南京师大学报(自然科学版)》
2007,30(1):57-60
采用低热固相反应法合成掺杂Cu的Ni(OH)2,将其在300℃下热处理得到相应的NiO.电化学测试表明:掺杂量为n(Ni):n(Cu)=100:0.25时,NiO电极的比容量最高,为99～120 F/g,具有良好的充放电性能,而不掺杂的只有83～111 F/g,因此掺杂Cu有利于提高NiO的电化学性能.
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