一种用于16K-SRAM的3μMOS工艺

为研制 ＶＬＳＩ１６Ｋ－ＳＲＡＭ，开发了一种 ３μＮＭＯＳ双层多晶工艺。对整个工艺流程以及主要的工艺问题进行了广泛的研究。某些技术难点，例如窄沟效应，浅结欧姆接触，栅氧化层质量等，得到解决。实验证明，这套工艺是可行的，合理的，能够满足研制３μＶＬＳＩ的要求。     

一种低功耗的1024位MOS随机存储器

本文介绍一种１０２４位ＭＯＳ随机存储器电路。采用Ｐ沟硅栅工艺，标准的四管单元结构。电路设计的主要特点是：１．在地址译码器中串入由内部时钟控制的接地管，完全消除了直流通路，使功耗大大降低；２．地址码封锁电路采用了一种由时钟控制的单管门形式，简化了电路；３．字线通过一个小跨导的放电管接地，提高了抗干扰能力。     

用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命

利用了将注入载流子分成表面复合项、体内项和扩散项三部分的简化模型,指出造 成寿命测短的二个主要因素——表面复合和体内扩散。采用足够的有效注入深度只能消 除扩散项的影响。提出了采用适当加长脉冲前沿时间消除表面复合影响的办法,实验结 果证实了这种办法的有效性。     

CMOS-DRAM的性能和设计

本文对近期发展起来的ＣＭＯＳ－ＤＲＡＭ的设计方案和性能优点进行了全面的分析。做在Ｎ阱内的单元阵列在抗α软失效方面有很大的好处。利用ＣＭＯＳ的特点使外围电路静态化既可以简化电路，又能提高电路速度和可靠性。对Ｓ／Ｒ放大器，时钟电路和行译码器等关键电路进行了较详细的分析，显示出ＣＭＯＳ－ＤＲＡＭ比ＮＭＯＳ－ＤＲＡＭ的优越性。