一种用于16K-SRAM的3μMOS工艺

为研制 ＶＬＳＩ１６Ｋ－ＳＲＡＭ，开发了一种 ３μＮＭＯＳ双层多晶工艺。对整个工艺流程以及主要的工艺问题进行了广泛的研究。某些技术难点，例如窄沟效应，浅结欧姆接触，栅氧化层质量等，得到解决。实验证明，这套工艺是可行的，合理的，能够满足研制３μＶＬＳＩ的要求。