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3C-SiC纳米粉烧结制备多孔碳化硅的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
研究了用3C-SiC纳米粉末压制成坯后烧结制备多孔碳化硅的温度和时间工艺参数，采用扫描电子显微镜(SEM)分析了烧结温度和时间对烧结样品平均孔径尺寸的影响，采用X射线衍射(XRD)分析了烧结样品的结构。研究结果表明，在100kPa压力的氩气气氛中和1600℃4h 30min～4h50min的烧结条件下，烧结样品的主要结构是3C-SiC，其他晶型基本消失；烧结样品具有大量的纳米孔，其平均孔径约为80～90nm。 相似文献
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将基于对象的分布式文件系统Lustre存储集群网络模块,由仅支持IPv4改进为同时支持IPv4与IPv6双协议栈,并提出了相应的设计原则与实现方法;测试比较了IPv6与IPv4环境下的系统性能.实验表明,移植前后性能基本相同.考虑到设计的前提是适用Linux系统基本的双协议栈架构,因此本方法适用于其他需要支持双协议栈的网络程序. 相似文献
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