三维光折变存储材料及其存储器的研究

未来信息系统中对存储容量、数据传输速率及数据的存储可靠性的要求将更高,高密度数据存储技术始终是信息技术和计算机技术发展中不可缺少的关键研究领域。利用新原理,采用新技术,启用新材料,研究开发新一代高密度、高速存储技术和系统,已经成为国际信息领域的热点和前沿研究方向。     

LiNbO_3的抗光折变与它的OH~－谱研究

测试了不同掺杂，不同组分ＬｉＮｂＯ＿３样品的红外吸收谱．提出在一致熔化组分ＬｉＮｂＯ＿３晶体中，Ｎｂ可变价和Ｌｉ的空位模型。解释了ＯＨˉ谱的３峰结构。在掺镁阈值以上，用镁占铌位和铁占铌位的缺陷模型，解释了ＯＨˉ谱紫移及３５０４ｃｍ￣（－１）峰出现的原由，进而对镁占铌位和铁占铌位进行了肯定。     

NSOM光纤超微探针的拉制及其热动力学研究

采用固定端激光熔拉法拉制NSOM光纤超微探针,系统地研究了控制过程中各条件参数对探针形态的影响,分析了拉制方法的热动力学过程,首次提出了探针控制过程的热动力自恰方程组,并得到了其解析解,理论计算与实验结果基本吻合,总结了光纤超微探针拉制的经验,对解决NSOM光纤超微探针拉制的理论和技术问题具有指导意义。     

用中等能量离子辐射方法研究C60膜结构变化

在２００ｋｅＶ重离子加速器上,使用１２０ｋｅＶ的Ｈ＋,Ｈｅ＋,Ｎ＋,Ａｒ＋等离子对Ｃ６０分子薄膜进行了辐射处理,对辐射后Ｃ６０膜的Ｒａｍａｎ谱进行了系统地分析研究．离子辐射会影响Ｃ６０薄膜的结构,不同的辐射注入剂量会使Ｃ６０分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,这一现象的产生与辐射离子的剂量大小有关,并存在一剂量阈值．研究表明Ｃ６０分子的聚合与辐射碰撞过程中的电子能损有关,而Ｃ６０薄膜非晶碳化现象则主要受核能损的影响     

激光染料的绝对荧光量子产额的光声光谱测量

一、前言激光染料的绝对荧光量子产额在基础理论上和实际应用上都是一个很重要的参量,但它的精确测量比较复杂和困难,报道的测量值也往往比较分散,其原因一方面归结于在染料溶液中,各种荧光熄灭过程和荧光辐射之间的相互竞争使得荧光量子产额对一些环境因素(如温度、溶剂、浓度和杂质等)特别敏感,另一方面是由于测量方法本身的不完善。因而发展一种精确简单的测量方法并用这种方法再次测量量子产额就是必要的。     

光子挑战电子

本世纪40年代末晶体管的发明启动了电子技术的蓬勃兴起,推动了信息科学技术的发展,迎来了信息时代。在20年世纪的下半世纪,电子技术在信息技术领域无疑占有“霸主”的地位。然而,正当它稳坐这一“霸主”交椅的时候,却受到了光子技术的重大挑战。光通信技术、光盘技术与遥感技术广泛地投入使用,特别是90年代初世界范围内信息高速公路基础建设的实施,证明了电子技术与光子技术结合的必要性。     

氟氧化物玻璃陶瓷中Yb3+和Er3+的强交叉弛豫过程

氟氧化物玻璃陶瓷是一种兼有氟化物低声子能量和氧化物机械强度的新型上转换发光材料.在Er3+和Yb3+离子共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中,紫光激发时产生较强的红色辐射,而不是常规的由于多声子逐级弛豫引起的绿色辐射.荧光光谱分析表明,Yb3+离子的敏化引起的强交叉弛豫过程是红色辐射相对强度增加的主要原因.紫光激发时产生相对强度较强的红色辐射说明在氟氧化物玻璃陶瓷中,稀土离子掺入到氟化物微晶中,而氟化物微晶则被包埋于氧化物基质中.     

LiNboO_3:Fe晶体中入射光光强分布对“扇形”光的影响

研究了LiNbO3：Fe晶体中入射光光强分布对“扇形”光的影响．结果证明,其影响很小．由此,可得出结论,LiNbO3：re晶体中的“扇形”光的种子光来源于晶体中的缺陷散射．