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三维光折变存储材料及其存储器的研究
引用本文:许京军,孙骞,张光寅,张心正,孔勇发,黄晖,刘思敏,张国权,乔海军,陈晓军,李冠告,丁大同.三维光折变存储材料及其存储器的研究[J].天津科技,2003,30(6):39-40.
作者姓名:许京军  孙骞  张光寅  张心正  孔勇发  黄晖  刘思敏  张国权  乔海军  陈晓军  李冠告  丁大同
作者单位:南开大学,天津,300071
摘    要:未来信息系统中对存储容量、数据传输速率及数据的存储可靠性的要求将更高,高密度数据存储技术始终是信息技术和计算机技术发展中不可缺少的关键研究领域。利用新原理,采用新技术,启用新材料,研究开发新一代高密度、高速存储技术和系统,已经成为国际信息领域的热点和前沿研究方向。

关 键 词:三维光折变存储材料  存储器  数据存储  铌酸锂材料  结构模型  掺杂晶体
修稿时间:2003年11月18
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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