点缺陷对波导的电场分布的调制

在二维函数光子晶体研究的基础上,进一步研究二维常规光子晶体波导中加入点缺陷介质柱时,二维光子晶体波导的带隙结构与电场分布情况.其中点缺陷介质柱介电常数是空间坐标的函数,其函数形式为εr=kr+b,参数k和b的变化可以通过光学Kerr效应或电光效应来实现.结果表明,通过改变点缺陷介质柱介电常数的参数k和b以及点缺陷半径ra,可以调节光的传播方向和光场分布,从而可以控制光在波导中传播方向.因此当含点缺陷时,二维常规光子晶体波导的光场分布和光的传播方向具有可调性.这些理论为光学器件的设计提供有价值的新的设计思路.     

函数缺陷对波导带隙结构的调制

在二维函数光子晶体研究的基础上,进一步研究波导中加入两排函数线缺陷时,通过调节函数线缺陷的介质柱介电常数参数值,可实现波导带隙结构的调制情况.本文选取线缺陷介质柱介电常数函数形式为εr(r)=kr+b,其中,k为函数系数,b为参数.上述参量的变化,可由电光效应实现,即通过调节外加电场强度和电场分布来实现.当改变函数线缺陷介质柱介电常数参数k和b的值时,波导的带隙位置、带隙数目以及电场分布都会发生改变.因此,在波导中加入两排函数线缺陷就可实现带隙结构的调制,得到所需要的带隙结构和电场分布.这些结论可以为光学器件的设计提供理论基础和新的设计思路.     

NiSe2-BP/graphene纳米复合材料的制备及光电催化性质研究

采用简单的一步溶剂热法合成NiSe2-BP/graphene纳米复合材料,并对其光、电催化性质进行了研究.结果表明:NiSe2-BP/graphene纳米复合材料具有良好的电催化制氢性质,在电流密度为10 mA/cm2时过电势仅为169 mV,塔菲尔斜率为59.58 mV/dec,且电化学稳定性良好.这是因为NiSe2-BP/graphene纳米复合材料具有较大的比表面积以及较小的界面电荷转移电阻.在可见光下,利用NiSe2-BP/graphene纳米复合材料在90 min内即可完成对亚甲基蓝的催化降解且具有良好的循环稳定性,这是因为NiSe2-BP/graphene纳米复合材料具有较宽的光吸收和良好的载流子分离能力.