存贮时间内集区空穴的有效寿命

本文提出集成电路晶体管在存贮时间内集区空穴有效寿命的概念。就集区杂质均匀分布和薄外延条件,通过求解空穴瞬态连续性微分方程,得到了存贮时间内集区空穴有效寿命的简易表达式。经过计算机数值解证明这一公式原则上也适用集区杂质分布不均匀(有埋层)的情况。     

薄外延集成电路的寄生PNP效应

本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发,求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。结果指出,在薄外延条件下,寄生PNP效应严重,即使采用掺金工艺,寄生PNP效应也不能忽略不计。消除其影响的最好办法是使用SBD箱位。     

新型α-Fe_2O_3-SnO_2气敏元件的研制

采用混合盐溶液共沉淀法,我们配制出残存SO_4~(2-)的α-Fe_2O_3-SnO_2气敏材料,通过控制和改善材料的微观构造,提高了不添加资金属催化剂的α-Fe_2O_3的气敏活性。研制出旁热式气敏元件、测试了静态特性。该元件具有成本低、功耗低、输出线性好,不易受乙醇干扰及机械强度高特点。     

射频等离子退火

本文介绍了MOS、MNOS电容器和双极型晶体管进行射频等离子退火的实验结果。用这种退火技术可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱。可使双极型晶体管的小电流放大系数(h_(FE))提高一个数量级以上。它也能去掉辐射损伤,使被幅射损伤的器件特性得到恢复。这种退火方法使用了与传统的热退火完全不同的概念,在许多应用方面比热退火优越。     

激光在半导体工艺中的应用

本文给出了离子注入片和热扩散片的激光退火,激光诱导扩散和用激光照射制造肖脱基势垒二极管的实验结果。用cwCO_2激光器从硅片背面照射退火,不仅可以消除注入损伤,使注入杂质百分之百电激活,还可以得到注入结深不变的退火效果。激光诱导扩散可以实现“剪裁”掺杂剖面,掺杂层具有小的面电阻,高掺杂浓度和百度之百电激活,还可以形成突变PN结。掺杂结深只有几百埃。用激光照射制造SBD,具有势垒度高,整流特性好等特点。     

激光损伤硅片背面对微缺陷的吸除效果

本文研究了cwCO_2激光器照射硅片背面产生辐射损伤对微缺陷的吸收效果:对MOS界面特性的影响,对表层少子寿命的影响,对PN结漏电流、晶体管电流放大系数h和击穿电压BV_(ce0)的影响:对集成电路成品率的影响。结果表明,这种方法能有效地吸除金属杂质和微缺陷,能显著提高少子寿命、改善Si/SiO_2的界面特性、降低PN结的漏电流、提高击穿电压和晶体管小电流放大系数,使KD45的成品率提高50％,     

Si_3N_4-AlN新型陶瓷薄膜及其特性

我们用直流反应溅射沉积Si_3N_4-ALN陶瓷薄膜,红外吸收光谱证明膜中含有Si-N键和Al-N键。x射线衍射证明在300℃低温下沉积的薄膜是非晶膜。此外,我们还测量了硬度、结合力、膜的应力、电阻率和光收率等,实验表明Si_SN_4-ALN膜具有高的硬度和结合力,优良的机械、光、电特性。     

非晶碳化硼薄膜

我们用低温等离子化学汽相沉积技术研制的非晶碳化硼(a-BC),硬度为4500～4700HV,表面光洁、细赋,涂层与合金刀具粘结力强,与加工工件的扩散焊接势可以控制,该涂层刀具非常适于切削钛,铝、镍合金和其他非铁材料。