电化学沉积Cu-In-Se薄膜

采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu-In-Se薄膜,对电沉积的工艺参数进行了测试,发现Cu-In-Se是一种诱导共沉积,虽然沉积膜不具备化学计量比,但具有一定的光电性能.     

电化学沉积Cu－In—Se薄膜

采用电化学沉积方法在钼箔上制备Cu-Se、In-Se和Cu—In—Se薄膜，对电沉积的工艺参数进行了测试，发现Cu—In—Se是一种诱导共沉积，虽然沉积膜不具备化学计量比，但具有一定的光电性能。     

社会主义初级阶段论－－邓小平对毛泽东社会主义发展两阶段论的继承、发展、超越

社会主义初级阶段论是邓小平建设有中国特色社会主义理论的基础，是对我国基本国情的本质概括。毛泽东在探索中国社会主义建设过程中提出了中国社会主义可分为不发达和比较发达两阶段的重要思想，邓小平作为中国第一代领导集体的成员参与了这一探索过程。邓小平在新的时代背景下继承了毛泽东“两阶段”论的合理因素，并不断创新超越，形成了完整而又具严密逻辑论证的社会主义初级阶段论。