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基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱. 相似文献
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分析了电压空间矢量PWM(VSVPWM)的基本原理,结合异步电动机变频调速,提出了一个VSVPWM实现的新方法.该方法采用查表法来产生VSVPWM波,具有无须坐标转换、表格数据少、操作简单、运行速度快等优点.数字仿真及硬件电路实现结果证实了该方法的正确性和实用性. 相似文献
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