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以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor, FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射和非挥发性等优点,在航空航天以及民用消费电子中都有广阔的应用前景.但是,对于由FeFET构成的同时具有逻辑功能与存储功能的门电路(Ferroelectric Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, FeCMOS),目前的研究工作还相对较少.用FeCMOS作为铁电存储器的外围读写电路,理论上可以大大增强其抗辐射能力.因此,该文以金属-铁电层-绝缘层-半导体(Metal gate-Ferroelectric layer-Insulation layer-Semiconductor, MFIS)结构的FeFET为研究对象,利用TCAD (Technology Computer Aided Design)软件中的器件电学性能仿真模块,在不同器件参数下对FeFET及其构成的FeCMOS反相器进行了细致的电学性能模拟仿真. 相似文献
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量子化学方法可以从本质上了解阴阳离子之间的相互作用,认识离子对的结构和离子对的存在形式.然而研究发现,量子化学的计算结果和实验存在较大差异.例如,拉曼光谱研究发现直接接触离子对的Cl-O伸缩振动位于938 cm-1,与自由离子的Cl-O伸缩振动谱带相比,向高波数位移了7 cm-1;而量子化学计算却是向低波数位移了40 cm-1,与实验测定的结果相差甚大[1].因此,量子化学的方法能否正确指认溶液中离子对的存在形式,尚待进一步研究.本文使用Gaussian 98程序,在B3LYP/6-311 G*水平下,分别计算了ClO4-、BF4-、Li ClO4-、Li BF4-在气态和4种溶剂… 相似文献