排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 17 毫秒
1
1.
研制了一种新模式的半导体场效应晶体第--垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET),这种结构可以避免现有光刻技术的制约,使用常规的半导体双极晶体管工艺,既可把有效沟道长度减短,大大提高器件的速度,又可将电源电压降低到小于1V,大幅度降低功耗,改进其电学性能。本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路。从纵向和横向报道了器件的设计思想,并给出了器件特性的测量结果。 相似文献
2.
3.
任永玲 《晋中师范高等专科学校学报》2003,20(4):359-360
化学基本概念是中学化学的基础,加强基本概念的教学,应从以下几方面着手:从实验中引出概念;从理解问题的过程中引出概念;创立思维氛围,减少思维跨度,分级解决问题;善于剖析概念;注意分类归纳,形成概念体系。 相似文献
4.
化学基本概念是中学化学的基础,加强基本概念的教学,应从以下几方面着手:从实验中引出概念;从理解问题的过程中引出概念;创立思维氛围,减少思维跨度,分级解决问题;善于剖析概念;注意分类归纳,形成概念体系。 相似文献
5.
用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程,退火后由非晶变成多晶,在Ge和GaAs界面处有互扩散,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。 相似文献
6.
通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计,初步构造出离子注入的分布图像,通过与实验结果比较,进一步完善模型,选用高斯与半高斯混合模型,得到了与实验结果更吻合的模拟方案,从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管(VDCFET)离子注入的最佳条件,并研制了性能良好的VDCFET。 相似文献
1