Co/Al2O3/FeNi隧道结的中间层厚度对其输运特性的影响

制备了不同Al2O3厚度的Co／Al2O3／FeNi隧道结，并在77K温度下测量了其输运特性。发现随着厚度的增加，TMR下降。但是当Al2O3厚度降为2nm时，磁电阻不再出现典型的双峰曲线，而是呈现高阻和低阻两个状态。测量了隧道结的TMR随外加电压的变化、伏安特性曲线、电阻随温度的变化曲线，综合所有因素，在文中制备条件下，Al2O3厚度为4nm时，隧道结性能最好。     

数学物理方法的渗透式教学

数学物理方法教学中运用渗透式教学有着重要的意义。本文从生活与数学物理方法之间的渗透,物理与数学之间的渗透,内容与思维方法之间的渗透,以及教学手段对学生的影响几个方面阐述了如何在数学物理方法教学中运用渗透式教学。     

Zn1-xVxO薄膜的透光和发光性能研究

用磁控溅射法制备Zn1-xVxO(x=0,0.05,0.09,0.11,0.13,0.15)薄膜.研究光的透过率和光致发光谱(PL谱).发现随着V的掺杂量的增加,带隙变宽.PL谱上有一蓝光波带(400～480 nm),而且随着V的掺杂量的增加,发光强度增强.     

H2分子器件电子输运性质的模拟计算

理论计算H2分子在一维Pt链电极间形成的分子桥的伏安特性和电导,结果表明在两端金属电极作用下,H2分子的能隙减小,使得体系导电性能提高。     

取代基对分子线电子性质的影响

采用Gaussian98量子化学软件中的AM1方法，分别计算不同取代基下分子线的电子结构。通过对最低未占有轨道（LUMO）形状的分析，研究了不同取代基对分子线电子性质的影响。结果显示吸电子基可以引起LUMO的定域化，从而对分子线的电子输运产生了影响。