准分子激光剥离金刚石薄膜

准分子激光剥离金刚石薄膜赵方海，王庆亚，任临福，郑伟，马力，张玉书（集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，吉林大学电子工程系，长春１３００２３）关键词准分子激光器，光解剥离，阈值金刚石材料具有材质硬、热导率高等优点￣［１］，是良好的机械加工刀...     

对称三腔GaInAsP/InP单模激光器

为实现长距离、大容量、高质量的信号传输,必有高性能动态单模激光器作为光源。目前这种器件主要有DBR和DFB激光器,复合腔激光器,短腔激光器,外腔及注入锁定激光器。本文报导了一种对称三段复合腔激光器的制备和选模特性。     

InP材料UV激光直接刻蚀研究

利用UV激光的光解剥离(APD)效应,对半导体材料InP进行了直接刻蚀研究,获得了良好的结果。采用波长为308nm,光脉冲宽度20ns的XeCl)准分子激光器,APD刻蚀的光能量密度阈值为390mJ/cm~2;与理论结果相比较,两者具有良好的一致性。同时给出了刻蚀深度与脉冲速率及脉冲时间的实验曲线。     

GaAs中准分子激光诱导掺Zn和Si的研究

本文报导了用XeCl激光器实现向半绝缘GaAs衬底掺Zn的实验结果,给出了Zn原子的纵向分布以及掺杂后方块电阻与激光脉冲次数的关系曲线,同时在相同衬底上采用气体源进行了掺Si实验研究.     

具有高增益特性的InGaAsP/InP异质结光晶体管

用液相外延方法制造了InGaAsP/InP异质结光晶体管,在1.3μm光增益高于200,在1.0μm光增益在1000倍以上,并在0.7μm～15μm范围内测量了谱响应。     

准分子激光直接刻蚀InP半导体材料

利用准分子激光的光解剥离即APD(Ablative Photodecomposition)效应,可直接对某些材料实施刻蚀加工,因而在半导体微细加工领域中具有重要意义。适合于准分子激光直接APD刻蚀加工的材料,目前见请报导的仅限于高分子聚合物,和以聚合物或玻璃为基底的金属薄膜。 InP材料是光电集成器件的重要材料,对其微加工技术的研究,目前各国都予以足     

通用示波器的检定方法与时域测量

探讨通用示波器技术指标的检定方法及其在时域测量中的扩展应用     

(AlGa)As可见光激光器

本文报导了氧化物条形(AlGa)As可见光激光器的一些实验工作。对激射波长与有源区生长熔体中掺铝量的关系,以及阈值随激射波长的变化进行了较为详细的讨论。     

动态单模InGaAsP/InP内反射干涉半导体激光器

本文报导了1.3μm InGaAsP/InP内反射干涉型动态单模半导体激光器,器件由质子轰击工艺形成中段耦合干涉腔,最高单模运转调制速率达600 MHz,典型边模抑制比为20∶1。