| 动态单模InGaAsP/InP内反射干涉半导体激光器 |
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| 引用本文： | 马东阁,石家伟,张庆有,金恩顺,任临福,石景龙,张玉书.动态单模InGaAsP/InP内反射干涉半导体激光器[J].吉林大学学报(理学版),1992(1). |
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| 作者姓名： | 马东阁 石家伟 张庆有 金恩顺 任临福 石景龙 张玉书 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系 长春
(马东阁，石家伟，张庆有，金恩顺，任临福，石景龙)，吉林大学电子科学系 长春(张玉书) |
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| 摘 要： | 本文报导了1.3μm InGaAsP/InP内反射干涉型动态单模半导体激光器,器件由质子轰击工艺形成中段耦合干涉腔,最高单模运转调制速率达600 MHz,典型边模抑制比为20∶1。
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| 关 键 词： | 质子轰击 动态单模 内干涉 |
Dynamic-Single-Mode InGaAsP/InP Internal-Reflection-Interference Semiconductor Laser |
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| Ma Dongge,Shi Jiawei,Zhang Qingyou,Jin Enshun,Ren Linfu,Shi Jinglong and Zhang Yushu.Dynamic-Single-Mode InGaAsP/InP Internal-Reflection-Interference Semiconductor Laser[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1992(1). |
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| Authors: | Ma Dongge Shi Jiawei Zhang Qingyou Jin Enshun Ren Linfu Shi Jinglong and Zhang Yushu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | proton bombardment dynamic single mode internal interference |
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