光纤制备工艺的理解和进一步降低损耗的一些设想

描述二氧化锗，五氧化磷和氟化物在沉积和烧结过程中的机理．由于掺杂物在高温下的特性差异，有可能产生许多不利因素，如掺杂物的挥发、局部应力、缺陷中心和不完整波导结构．这些因素有损于传输特性．随着光纤通讯的发展，低损耗光纤在长距离，大容量通讯系统中起着越来越重要的作用．经过１０多年的努力，接近理论值的，低损耗的光纤已经商品化．但由于不完善工艺条件所引起的损耗，仍需要研究．１９７４年出现了ＭＣＶＤ工艺，由于实施相对容易，得到广泛使用．许多研究工作者对这一工艺中四个主要阶段：即沉积，烧结，固化和缩棒，提出满意的解释．为进一步改善包层内，包层和芯子之间，芯子内的浓度梯度和应力结构以便获得低损耗光纤，本文分析了几种掺杂物在高温下相互作用的机理，提出了在烧结阶段中氟粒子独特作用的设想     

三氧化二铝掺杂物的特性及在MCVD中的应用

阐述了三氧化二铝的特性和在ＭＣＶＤ中的应用．由于三氧化二铝掺杂在光纤中具有优于二氧化锗的一些特点，被应用于不同的领域，如光纤激光器、光纤放大器和保偏光纤．但由于受三氧化二铝易形成反三氧化二铝现象的限制，一直没有广泛用于普通光纤生产中．在前人研究成果和对制备工艺理解的基础上，认为有必要开发这种新产品     

长波长双窗口零色散单模光纤的研制

用MCVD法试制出较低损耗的色散平坦光纤,零色散点同时落在1.3μm和1.55μm的工作窗口内,研制中结合我国工艺条件和设备条件进行了多目标多变量的任意四包层光纤结构设计,解决了掺氟里昂使内包层折射半下陷达4.5‰至5.0‰的工艺难点,采取多项措施降低了损耗,本文还阐述了各包层的物理意义。